[发明专利]晶圆混合键合中提高金属引线制程安全性的方法

权利要求书

1.一种晶圆混合键合中提高金属引线制程安全性的方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底的上表面形成非金属层，所述非金属层覆盖所述衬底的上表面，并在所述非金属层中形成金属导体；

在含有所述金属导体的非金属层的上表面形成含有两层氮化硅层和两层氧化硅层交错层叠的介电层，所述介电层覆盖所述非金属层的上表面；

对所述介电层进行平坦化工艺处理；

在平坦化工艺处理后的介电层上，以对所述氮化硅层和所述氧化硅层预设的刻蚀速率比进行刻蚀形成金属引线沟槽，至所述非金属层中的金属导体的上表面部分裸露，所述金属引线沟槽的宽度小于所述金属导体的宽度；

对所述金属引线沟槽进行金属填充得到金属引线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

根据化学气相沉积的方法，在所述衬底的上表面形成非金属层；

根据所述化学气相沉积的方法，在所述非金属层的上表面形成含有两层氮化硅层和两层氧化硅层交错层叠的介质层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述非金属层中形成金属导体，具体包括：在所述非金属层中刻蚀出预设电路图案沟槽，在所述预设电路图案沟槽中填充金属至超过所述非金属层的上表面，并去除所述非金属层上表面的金属形成金属导体，所述金属导体的上表面与所述非金属层的上表面齐平。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在含有所述金属导体的非金属层的上表面形成含有两层氮化硅层和两层氧化硅层交错层叠的介质层，具体包括：

在含有所述金属导体的非金属层的上表面形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述非金属层的上表面；

在所述第一氮化硅层的上表面形成第一氧化硅层，所述第一氧化硅层覆盖所述第一氮化硅层的上表面；

在所述第一氧化硅层的上表面形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述第一氧化硅层的上表面；

在所述第二氮化硅层的上表面形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层覆盖所述第二氮化硅层的上表面。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述金属导体为铜；

所述对所述金属引线沟槽进行金属填充得到金属引线，具体为：对所述金属引线沟槽填充铜得到金属引线。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述金属引线沟槽进行金属填充得到金属引线之前，还包括：清洗所述金属引线沟槽。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述金属引线沟槽进行金属填充形成金属引线，具体包括：对所述金属引线沟槽进行金属填充至超过所述介电层的上表面，并去除所述介电层上表面的金属形成金属引线，所述金属引线的上表面与所述介电层的上表面齐平。