[发明专利]一种无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201710733137.1 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107611191B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 曾昭兵;张京;诸跃进;陈人杰;张英;庄学恒 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | H01L31/0264 | 分类号: | H01L31/0264;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人: | 丁少华 |
地址: | 315211 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 无机 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:依次包括如下步骤:
①将PbI2、PbBr2和CsI以摩尔比1:1:2溶解于DMF与DMSO中,搅拌溶解形成钙钛矿前驱溶液,然后将醋酸铅加入钙钛矿前驱溶液中,搅拌溶解形成钙钛矿溶液;其中,醋酸铅在钙钛矿溶液中的含量为1~20%wt;
②使用溶胶凝胶法在导电玻璃层上涂上一层致密二氧化钛膜,然后致密二氧化钛膜经450-500℃处理后再进行四氯化钛处理,烧结后备用;
③使用匀胶机将钙钛矿溶液沉积在步骤②中备用的致密二氧化钛膜上,转移至加热板上经100-350℃退火处理,形成CsPbI2Br晶体膜;
④将空穴传输材料的有机溶液均匀的旋涂在CsPbI2Br晶体膜上形成空穴传输层;
⑤使用蒸镀方法,在空穴传输层上蒸镀银电极层,
制备得到的无机钙钛矿太阳能电池包括层状依次分布的导电玻璃层、致密二氧化钛膜、CsPbI2Br晶体膜、空穴传输层及银电极层,CsPbI2Br晶体膜由钙钛矿溶液制备,CsPbI2Br晶体膜中掺杂有醋酸铅,钙钛矿溶液的溶质为CsI、PbI2、PbBr2和醋酸铅,钙钛矿溶液的溶剂为DMF与DMSO,醋酸铅在钙钛矿溶液中的含量为5~15%wt,致密二氧化钛膜的厚度为100~150纳米,CsPbI2Br晶体膜的厚度为200纳米~1.5微米,空穴传输层的厚度为250~400纳米,银电极层的厚度为50~200纳米,空穴传输层的材质为Spiro-OMeTAD或3-己基取代聚噻吩。
2.根据权利要求1所述的无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述空穴传输材料的有机溶液包括Spiro-OMeTAD、氯苯、四丁基吡啶和双三氟甲烷磺酰亚胺锂,Spiro-OMeTAD、四丁基吡啶和双三氟甲烷磺酰亚胺锂的摩尔比为10:8:3,Spiro-OMeTAD在空穴传输材料的有机溶液中的摩尔浓度为1-1.5M。
3.根据权利要求2所述的无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述钙钛矿前驱溶液中,CsI,0.208克;PbI2,0.1844克;PbBr2,0.1469克;DMF,0.7mL;DMSO,0.3mL。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波大学,未经宁波大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710733137.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种耐弯折钙钛矿太阳能电池及制备方法
- 下一篇:GeSn光电探测器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的