[发明专利]一种交流驱动提高硅基异质结电致发光器件发光稳定性的方法在审
申请号: | 201710733295.7 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107611229A | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 徐骏;刘婧婧;李东珂;沐维维;季阳;吴仰晴;林泽文;陈坤基 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/26 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人: | 陈建和 |
地址: | 210093 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 交流 驱动 提高 硅基异质结 电致发光 器件 发光 稳定性 方法 | ||
1.一种交流驱动提高硅基异质结电致发光器件发光稳定性的方法,其特征是所述钙钛矿电致发光器件的结构自下而上分别为阳极层、空穴传输层-电子阻挡层、发光层、电子传输-空穴阻挡层和阴极层;空穴传输层-电子阻挡层为Si基材料,包括p-Si、p-Si+SiO2、p-Si+SiC、p-Si+SiN以及非晶硅;发光层为全无机钙钛矿CsPbX3,X为一元卤素元素或多元卤素元素的组合、X=Cl、Br或I;所使用的代表材料性分子式为CsPbCl3,CsPbBr3,CsPbI3,CsPbBr3-xIx,CsPbBr3-xClx;采用交流驱动(1)方波驱动频率10HZ-100MHZ,占空比20%-80%;(2)正弦波驱动频率10HZ-100MHZ。
2.根据权利要求1所述的提高器件发光稳定性的方法,其特征是电致发光器件的构成:阳极Al,空穴传输层-电子阻挡层p-Si,发光层CsPbX3,电子传输层-空穴阻挡层ZnO,阴极ITO。CsPbBr3量子点制备成绿光发光层,CsPbI3量子点制备成红光发光层、发光层CsPbX3在Si衬底正面旋涂钙钛矿量子点获得厚度范围30nm-150nm;磁控溅射ZnO薄膜、厚度范围30nm-100nm;磁控溅射ITO薄膜、厚度范围150nm-400nm。
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