[发明专利]一种CMOS磁传感器模拟前端电路

权利要求书

1.一种CMOS磁传感器模拟前端电路，其特征在于：其包括霍尔磁传感器、输入端与霍尔磁传感器输出端相连的电流旋转电路、输入端与电流旋转电路输出端相连的放大器、输入端与放大器输出端相连的双采样积分器、输入端与双采样积分器输出端相连的比较器、电压电流参考源、数字电路，其中所述双采样积分器输出端输出的电压与所述电压电流参考源输出端所输出的电压通过所述比较器进行比较，而比较的结果输出的一个信号到所述数字电路进行锁存，而另一个信号则反馈到所述双采样积分器，所述数字电路的输出端与所述电流旋转电路的输入端、所述放大器的输入端、所述双采样积分器的输入端、以及所述比较器的输入端均相连接，所述电压电流参考源的输出端与所述电流旋转电路的输入端、所述放大器的输入端、所述双采样积分器的输入端、所述比较器的输入端均相连接；同时所述霍尔磁传感器感应出电压信号并带有失调电压，所述电流旋转电路将失调电压转换成方向正负轮换的波形且保持电压信号方向不变，且所述电流旋转电路的输出由电压信号和被调制到高频的失调电压叠加而成，所述放大器将来自电流旋转电路的信号进行一定倍数的放大，而所述双采样积分器消除高频的失调电压并对感应电压进行积分，并将其输出到比较器与参考电压进行比较。

2.根据权利要求1所述的一种CMOS磁传感器模拟前端电路，其特征在于：所述比较器或所述数字电路对所述双采样积分器进行重置。

3.根据权利要求2所述的一种CMOS磁传感器模拟前端电路，其特征在于：所述比较器输出脉宽调制信号且将磁信号转为数字信号。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的一种CMOS磁传感器模拟前端电路，其特征在于：所述电流旋转电路的相位数为4的倍数。

5.根据权利要求2或3所述的一种CMOS磁传感器模拟前端电路，其特征在于：所述双采样积分器、所述比较器以及数字电路结合进行开关功能和量化功能的切换。