[发明专利]一种太阳能硅片清洗工艺

说明书

技术领域

本发明属于太阳能硅片生产技术领域，尤其是涉及一种太阳能硅片清洗工艺。

背景技术

近年来，随着光伏行业的飞速发展，光电转换效率持续提升，太阳能硅片作为电池组件的主要原材料，对硅片表面粗糙度、TTV、WARP、表面洁净度等参数要求也越来越高，在目前的硅片生产过程中出现硅片脏花严重的问题，针对脏花片特点，确定是由于清洗不干净并且在硅片漂洗过程中漂洗不充分存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于现有硅片生产过程中清洗不干净并且漂洗不充分的问题，提供一种太阳能硅片清洗工艺。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种太阳能硅片清洗工艺，其特征在于：依次包括以下步骤：

预清洗，将硅片上的污染物软化、分离、溶解；

药液清洗，将硅片表面的油污清洗干净；

第一次漂洗，清除硅片上的药液；

化学液清洗，将有机物分解去除；

第二次漂洗，去除硅片表面的化学液和泡沫；

慢提拉，使硅片表面水分均匀；其中，

所述药液清洗重复两次；

所述第一次漂洗步骤重复两次；

所述第二次漂洗步骤重复四次。

进一步地，所述第一次漂洗步骤和所述第二次漂洗步骤中均采用纯水漂洗。

进一步地，所述化学液清洗中，所述化学液包括浓度为10％-20％氢氧化钾溶液和15％-16％过氧化氢溶液的混合液。

进一步地，所述化学液包括12％氢氧化钾溶液和15％的过氧化氢溶液。

进一步地，所述氢氧化钾溶液和所述过氧化氢溶液的体积比为1:2。

进一步地，所述第一次漂洗和所述第二次漂洗的温度均为38°-42°。

进一步地，所述第一次漂洗和所述第二次漂洗的温度为40°。

本发明具有的优点和积极效果是：

1.化学液清洗重复两次，硅片表面的污物清洗干净，清洗效果显著，清洗脏片率降低0.3％，清洗剂单耗降低26.7％，提高了产品的质量，节约成本和能源；

2.在药液清洗与化学液清洗之间设置第一次漂洗，且第一次漂洗重复两次，可以有效的去除药液，避免残留的药液带入到化学液清洗步骤中，与化学液反应，污染化学液；

3.在化学液清洗与慢提拉之间第二次漂洗重复四次，漂洗干净清洗剂残留，提高了漂洗效果，清洗脏片率降低，提高了产品质量。

附图说明

图1是本发明太阳能硅片清洗的工艺流程示意图；

具体实施方式

如图1所示，本实例一种太阳能硅片清洗工艺，包括以下步骤：

预清洗，分别在0槽和1槽中进行，预清洗重复两次，0槽和1槽内为纯水，温度为40℃，预清洗采用超声溢流清洗，在清洗的过程中，采用机械手抓取盛放硅片的片篮，将片篮放入0槽，硅片在0槽内清洗240s后，机械手将片篮从0槽内取出，放入1槽内清洗，硅片在1槽内的清洗时间为240s，将硅片上的污染物软化、分离、溶解。

药液清洗，在2槽和3槽内进行药液清洗，药液清洗步骤重复两次，清洗液采用君合清洗剂A液与B液的混合液，其中，君合清洗剂A液与君合清洗剂B液的体积比为2:1，本实例中，2槽和3槽内的清洗剂为君合清洗剂A液1.5L，君合清洗剂B液0.75L，水300L，配液顺序为，首先将2槽和3槽内注入纯水，当温度达到38°后开始配液，配液的过程中，先将清洗剂A液缓慢注入清洗槽中，等待30秒后再将清洗剂B液缓慢注入，降低体系的表面张力，促进硅片表面油污的润湿、渗透、乳化和分散，将硅片表面油污清洗干净，清洗剂可以迅速渗透到油污与硅片之间，使油污迅速剥离硅片表面，剥离后表面活性剂将油脂乳化，极高的提高了清洗剂的除油性能，清洗的过程中，采用机械手抓取盛放硅片的片篮，将片篮放入2槽，硅片在2槽内清洗240s后，机械手将片篮从2槽内取出，放入3槽内重复清洗，硅片在3槽内的清洗时间为240s。

第一次漂洗，第一次漂洗重复两次，分别在4槽和5槽内进行，清洗槽4和清洗槽5内的清洗液为纯水，利用流动的纯水将硅片表面的的清洗剂冲洗干净，清洗温度为38°-42°，优选地，清洗温度为40°，清洗时间为240s，脏片率最低，漂洗的效果达到最佳。