[发明专利]高压芯片出光组件

说明书

本发明公开了一种高压芯片出光组件，包括多个阵列化的单元，每个单元包括一立方体的边缘调整座，所述的边缘调整座的底面中心向上凹陷形成入光面，所述的凹陷内设置有高压芯片，所述的边缘调整座的顶面整体向上凸起形成四个对称分布的出光面，出光面的交界线的投影与所述的立方体的顶面的对角线相重合，所述的边缘调整座的顶面上具有环绕四个出光面的多圈棱镜结构，从而整体上构成一种花蕊花瓣结构。由于采用了本发明的结构，在光斑的边缘位置周围增加光强分布，形成边缘清晰均匀分布的光斑。

技术领域

本发明涉及一种LED组件。

背景技术

现有照明组件的各个单元之间存在匹配的问题，如果装配精度不够，则会出现阴影等不良现象。

发明内容

为了克服上述缺点，本发明的目的在于提供一种组合后照明均匀的高压芯片出光组件。

为了达到以上目的，本发明提供了一种高压芯片出光组件，包括多个阵列化的单元，每个单元包括一立方体的边缘调整座，所述的边缘调整座的底面中心向上凹陷形成入光面，所述的凹陷内设置有高压芯片，所述的边缘调整座的顶面整体向上凸起形成四个对称分布的出光面，出光面的交界线的投影与所述的立方体的顶面的对角线相重合，所述的边缘调整座的顶面上具有环绕四个出光面的多圈棱镜结构，从而整体上构成一种花蕊花瓣结构。

作为本发明进一步的改进，每个所述的棱镜结构的横截面均呈向外倾斜的三角形。

作为本发明进一步的改进，所述的棱镜结构的倾斜角从内到外尺寸逐渐减小。

作为本发明进一步的改进，每个所述的棱镜结构的间隔从内到外逐渐增加。

作为本发明进一步的改进，所述的棱镜结构从内到外尺寸逐渐增加。

作为本发明进一步的改进，所述的高压芯片包括依次设置的蓝宝石衬底、n-GaN层、多层量子阱层、p-GaN层，所述的n-GaN层上形成有n型电极，所述的p-GaN层上形成有p型电极。

作为本发明进一步的改进，所述的p-GaN层与p型电极之间设置有透明电极层。

作为本发明进一步的改进，所述的边缘调整座的侧面向内倾斜。

作为本发明进一步的改进，所述的棱镜结构的倾斜角小于所述的边缘调整座侧面的倾斜角。

作为本发明进一步的改进，至少包括8个阵列化的单元。

由于采用了本发明的结构，在光斑的边缘位置周围增加光强分布，形成边缘清晰均匀分布的光斑。

附图说明

附图1为根据本发明的组件示意图；

附图2为根据本发明的原理示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

参见附图1和附图2，本发明的高压芯片出光组件，包括12个阵列化的单元，每个单元包括一立方体的边缘调整座1，边缘调整座1的底面中心向上凹陷形成入光面2，凹陷内设置有高压芯片3，边缘调整座1的顶面整体向上凸起形成四个对称分布的出光面4，出光面4的交界线的投影与立方体的顶面的对角线相重合，边缘调整座1的顶面上具有环绕四个出光面的多圈棱镜结构5，从而整体上构成一种花蕊花瓣结构。

从图中可以看出，每个棱镜结构5的横截面均呈向外倾斜的三角形，棱镜结构5的倾斜角从内到外尺寸逐渐减小，每个棱镜结构5的间隔从内到外逐渐增加，棱镜结构5从内到外尺寸逐渐增加。