[发明专利]显示装置、阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；平坦化层，所述平坦化层设置在所述衬底上，所述平坦化层具有第一过孔；

钝化层，所述钝化层设置在所述平坦化层远离所述衬底的一侧，所述钝化层具有第二过孔，

其中，所述第一过孔与所述第二过孔在所述衬底上的投影不重叠，

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧设置有源漏电极，所述平坦化层设置在所述源漏电极远离所述衬底的一侧；

连接层，所述连接层设置在所述平坦化层与所述钝化层之间；

像素电极层，所述像素电极层设置在所述钝化层远离所述连接层的一侧，

其中，所述连接层通过所述第一过孔以及所述第二过孔，分别与所述源漏电极以及所述像素电极层相连。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述连接层在所述衬底上的投影覆盖所述第一过孔在所述衬底上的投影，以及所述第二过孔在所述衬底上的投影。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，形成所述连接层的材料包括金属以及透明导电材料的至少之一。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，进一步包括：

公共电极，所述公共电极与所述连接层同层且间隔设置，所述公共电极以及所述连接层是同步形成的。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧设置有源漏电极；

平坦化层，所述平坦化层设置在所述源漏电极远离所述衬底的一侧，所述平坦化层在与所述源漏电极对应的区域内具有第一过孔，所述第一过孔贯穿所述平坦化层；

连接层，所述连接层为导电材料形成的，所述连接层设置在所述平坦化层远离所述源漏电极的一侧，所述连接层覆盖所述第一过孔且在所述第一过孔处与所述源漏电极相连；

公共电极，所述公共电极与所述连接层同层且间隔设置；

钝化层，所述钝化层设置在所述连接层远离所述平坦化层的一侧，所述钝化层在与所述连接层对应的区域内具有第二过孔；

像素电极层，所述像素电极层设置在所述钝化层远离所述连接层的一侧，所述像素电极覆盖所述第二过孔且在所述第二过孔处与所述连接层相连，

其中，所述第一过孔与所述第二过孔在所述衬底上的投影不重叠。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。

7.一种制备阵列基板的方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成平坦化层；

在所述平坦化层上设置第一过孔；

在所述平坦化层远离所述衬底的一侧，形成钝化层；

在所述钝化层上设置第二过孔，并令所述第二过孔在所述衬底上的投影，与所述第一过孔在所述衬底上的投影不重叠，

在形成所述平坦化层之前，预先在所述衬底上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧具有源漏电极；

形成所述平坦化层之后，在与所述源漏电极对应的区域形成第一过孔；

在所述平坦化层远离所述源漏电极的一侧，且与所述源漏电极对应的区域形成连接层，所述连接层覆盖所述第一过孔，所述连接层与所述源漏电极通过所述第一过孔连接；

形成公共电极，所述公共电极与所述连接层同层且间隔设置；

在形成所述钝化层之后，形成第二过孔，并暴露所述第二过孔处的所述连接层；

在所述钝化层远离所述连接层的一侧形成像素电极层，所述像素电极层覆盖所述第二过孔，且与所述连接层相连。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在形成所述平坦化层之前，预先在所述衬底上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧具有源漏电极；

形成所述平坦化层之后，在与所述源漏电极对应的区域形成第一过孔；

在所述平坦化层远离所述源漏电极的一侧形成透明导电层；

通过构图工艺，利用所述透明导电层形成连接层以及公共电极，所述连接层覆盖所述第一过孔且在所述第一过孔处与所述源漏电极相连；

在形成所述钝化层之后，形成第二过孔，并暴露所述第二过孔处的所述连接层；

在所述钝化层远离所述连接层的一侧形成像素电极层，所述像素电极层覆盖所述第二过孔，且与所述连接层相连。