[发明专利]一种发光二极管的芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201710737017.9 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107658269B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭炳磊;魏晓骏;董彬忠;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管的芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在衬底上依次生长N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层；
在所述P型氮化镓层上开设延伸至所述N型氮化镓层的第一凹槽；
在所述P型氮化镓层上开设延伸至所述多量子阱层的第二凹槽；
在所述第二凹槽内的多量子阱层上设置两个磁性材料层，所述两个磁性材料层相对设置，所述两个磁性材料层相对的侧面为异名磁极，所述P型氮化镓层夹在所述两个磁性材料层之间，一个所述磁性材料层设置在所述P型氮化镓层和所述第一凹槽之间；
在所述第一凹槽内的N型氮化镓层上设置N型电极，在所述P型氮化镓层上设置P型电极；
所述在所述P型氮化镓层上开设延伸至所述多量子阱层的第二凹槽，包括：
采用光刻技术在所述第一凹槽内的N型氮化镓层、以及所述P型氮化镓层上除所述第二凹槽所在位置之外的区域形成光刻胶；
采用干法刻蚀技术去除没有所述光刻胶覆盖的P型氮化镓层，形成所述第二凹槽；
所述在所述第二凹槽内的多量子阱层上设置两个磁性材料层，所述两个磁性材料层相对设置，所述两个磁性材料层相对的侧面为异名磁极，所述P型氮化镓层夹在所述两个磁性材料层之间，包括：
将所述衬底放入磁控溅射腔，对所述磁控溅射腔进行抽真空；
对靶材进行溅射，在所述第二凹槽内的多量子阱层、以及所述光刻胶上铺设磁性材料层；
去除所述光刻胶，形成所述两个磁性材料层；
将所述衬底放入设定方向的磁场中，直到所述两个磁性材料层相对的侧面为异名磁极，所述设定方向与所述P型氮化镓层的层叠方向垂直。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述磁控溅射腔进行抽真空，包括：
对所述磁控溅射腔进行抽真空，所述磁控溅射腔内的本底真空度达到5mTorr～20mTorr。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述对靶材进行溅，包括：
采用直流电源对所述靶材进行溅射，所述靶材的溅射功率为50w～200w。
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