[发明专利]一种用于图像传感器的有机光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种用于图像传感器的有机光电探测器，其特征在于，包括玻璃基片(1)，玻璃基片(1)上表面设置有ITO电极层(2)，玻璃基片(1)上表面上还自下而上依次涂覆有阳极缓冲层(3)、前置吸收层(4)、主体活性层(5)、阴极缓冲层(6)以及Al电极层(7)；

所述阳极缓冲层(3)由MoO₃层和NPB层构成，所述前置吸收层(4)为P3HT层，所述主体活性层(5)为由电子给体材料PBDT-TT-F和电子受体材料PC₇₁BM构成的复合层，所述阴极缓冲层(6)由BCP层和MoO₃层构成。

2.如权利要求1所述的一种用于图像传感器的有机光电探测器，其特征在于，所述前置吸收层(4)中的P3HT与主体活性层(5)中的PC₇₁BM形成平面异质结，所述主体活性层(5)中的PBDT-TT-F与PC₇₁BM形成体异质结。

3.如权利要求1或2所述的一种用于图像传感器的有机光电探测器，其特征在于，所述PBDT-TT-F和PC71BM的质量比为1:1.5。

4.如权利要求1所述的一种用于图像传感器的有机光电探测器，其特征在于，所述阳极缓冲层(3)中MoO₃层厚度为2.5nm～3.5nm，NPB层厚度为0.8nm～1.2nm；所述前置吸收层(4)厚度为15nm～25nm，所述主体活性层(5)厚度为90nm～100nm；所述阴极缓冲层(6)中的BCP层厚度为0.8nm～1.2nm，MoO₃层厚度为2.5nm～3.5nm；所述Al电极层(7)的厚度为90nm～110nm。

5.一种用于图像传感器的有机光电探测器的制备方法，其特征在于，具体包含以下步骤：

步骤1：先在玻璃基片(1)上镀ITO电极层(2)，然后采用湿法清洗镀有ITO电极层(2)的玻璃基片(1)，再用纯氮气吹干或红外烘干；

步骤2：将经步骤1处理后的玻璃基片(1)用紫外臭氧光清洗后，再放置于真空蒸镀室中蒸镀MoO₃层和NPB层，在玻璃基片(1)上形成阳极缓冲层(3)；

步骤3：将P3HT用氯苯溶解后旋涂在经步骤2得到的玻璃基片(1)上，然后烘干，在玻璃基片(1)上形成前置吸收层(4)；

步骤4：先将PBDT-TT-F和PC₇₁BM溶于二氯甲烷中形成混合物，然后将混合物旋涂经步骤3所得的玻璃基片(1)上，再烘干，在玻璃基片(1)上形成主体活性层(5)；

步骤5：先将经步骤4所得到的玻璃基片(1)放入真空蒸镀机中蒸镀阴极缓冲层(6)，然后沉积Al电极层(7)；

步骤6：将经步骤5所得的玻璃基片(1)加热到120℃，恒温保持15min～20min，之后将温度降到室温。

6.如权利要求5所述的一种用于图像传感器的有机光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，湿法清洗的过程为：先采用去离子水对玻璃基片1进行超声清洗25min～30min，接着采用丙酮对玻璃基片1进行超声清洗25min～30min，最后采用无水乙醇超声清洗25min～30min。

7.如权利要求5所述的一种用于图像传感器的有机光电探测器的制备方法，其特征在于，所述PBDT-TT-F和PC₇₁BM的质量比为1:1.5。

8.如权利要求5所述的一种用于图像传感器的有机光电探测器的制备方法，其特征在于，所述阳极缓冲层(3)中MoO₃层厚度为2.5nm～3.5nm，NPB层厚度为0.8nm～1.2nm；所述前置吸收层(4)厚度为15nm～25nm，所述主体活性层(5)厚度为90nm～100nm；所述阴极缓冲层(6)中的BCP层厚度为0.8nm～1.2nm，MoO₃层厚度为2.5nm～3.5nm；所述Al电极层(7)的厚度为90nm～110nm。