[发明专利]阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体地说，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

薄膜晶体管-液晶显示器使用薄膜晶体管技术改善影象品质，被应用在电视、平面显示器及投影机上。目前，对薄膜晶体管液晶显示器的研究已经成为热点。

在薄膜晶体管-液晶显示器的制造过程中，氧化物半导体材料由于具有较高的迁移率和开态电流，被广泛应用到显示行业的薄膜晶体管器件中。然而，目前薄膜晶体管器件的制程较为复杂，均需5道或以上光罩工艺制程。并且，现有技术中需要相应工艺得到图案化的像素电极，才能形成特定分布的电场。

发明内容

为解决以上问题，本发明提供了一种阵列基板及其制作方法，用以采用不需图案化的像素电极即得到特定分布的电场。

根据本发明的一个方面，提供了一种阵列基板，其上设置有像素电极和介质层，

所述像素电极为面状电极，

所述介质层设置于所述像素电极上，所述介质层在与所述像素电极相对的区域设置有用于控制像素电极电场的预定图案。

根据本发明的一个实施例，所述介质层上设置有用于形成所述预定图案的开口，所述开口贯穿所述介质层以裸露出所述像素电极。

根据本发明的一个实施例，所述介质层上设置有用于形成所述预定图案的开口，所述开口为深度大于等于4000埃的凹槽。

根据本发明的一个实施例，所述预定图案包括米字型图案或条状图案。

根据本发明的一个实施例，所述介质层采用透明绝缘材料制备。

根据本发明的一个实施例，还包括：

设置于衬底基板上方的有源层、源极和漏极，其中，所述有源层的一端与所述源极连接，所述有源层的另一端与所述漏极连接，所述漏极与所述像素电极连接，所述源极、所述漏极与所述像素电极同层设置并采用一道光罩制备而成；

设置于所述有源层、所述源极、所述漏极和所述像素电极上的栅绝缘层；

设置于所述栅绝缘层上的栅极，所述栅极与所述有源层对应设置；

设置于所述栅极和裸露的栅绝缘层上的钝化层，其中，位于所述像素电极上的栅绝缘层和钝化层构成所述介质层。

根据本发明的一个实施例，所述栅绝缘层和所述钝化层均采用透明绝缘材料制备。

根据本发明的一个实施例，所述源极、所述漏极和所述像素电极采用同一种透明导电材料制备，所述同一种透明导电材料包括石墨烯。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种用于制作阵列基板的方法，包括：

在衬底基板上沉积一层氧化物半导体材料，并采用第一道光罩进行处理，以形成有源层；

在所述有源层和裸露的衬底基板上沉积一层透明导电材料，并采用第二道光罩进行处理，以同时形成薄膜晶体管的源极和漏极、面状像素电极，并使得所述源极和所述漏极分别与所述有源层的两端连接，所述像素电极与所述漏极连接；

在所述源极、所述漏极、所述有源层以及所述像素电极上形成透明的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上沉积一层导电材料，并采用第三道光罩进行处理，以形成薄膜晶体管的栅极；

在所述栅极和裸露的栅绝缘层上形成透明的钝化层，所述透明的栅绝缘层和所述透明的钝化层形成了覆盖在所述像素电极上的透明介质层；

采用第四道光罩，对所述介质层上与所述像素电极相对的区域进行图案化处理以形成用于控制像素电极电场的预定图案，所述预定图案为开设在所述介质层上的开口图案。

根据本发明的再一个方面，还提供了一种用于制作阵列基板的方法，包括：

在衬底基板上沉积一层透明导电材料，并采用第一道光罩进行处理，以同时形成薄膜晶体管的源极和漏极、面状像素电极，所述像素电极与所述漏极连接；

在所述源极、所述漏极、所述像素电极和裸露的衬底基板上沉积一层氧化物半导体材料，并采用第二道光罩进行处理以形成有源层，所述源极和所述漏极分别与所述有源层的两端连接；

在所述源极、所述漏极、所述像素电极以及所述有源层上形成透明的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上沉积一层导电材料，并采用第三道光罩进行处理，以形成所述薄膜晶体管的栅极；

在所述栅极和裸露的栅绝缘层上形成透明的钝化层，所述透明的栅绝缘层和所述透明的钝化层形成了覆盖在所述像素电极上的透明介质层；

采用第四道光罩，对所述介质层上与所述像素电极相对的区域进行图案化处理以形成用于控制像素电极电场的预定图案，所述预定图案为开设在所述介质层上的开口图案。