[发明专利]倒置型量子点发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种倒置型量子点发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成阴极(20)；

采用水热合成的方法在所述阴极(20)上形成单晶TiO₂纳米棒阵列薄膜，所述单晶TiO₂纳米棒阵列薄膜包括垂直生长于所述阴极(20)上且呈阵列排布的多个单晶TiO₂纳米棒，所述单晶TiO₂纳米棒阵列薄膜即为电子传输层(30)；

在所述电子传输层(30)上形成量子点发光层(40)；

在所述量子点发光层(40)上形成空穴传输层(50)；

在所述空穴传输层(50)上形成空穴注入层(60)；

在所述空穴注入层(60)上形成阳极(70)。

2.如权利要求1所述的倒置型量子点发光二极管的制作方法，其特征在于，采用水热合成的方法在阴极(20)上形成单晶TiO₂纳米棒阵列薄膜的过程包括：首先将阴极(20)表面清洗干净，通过钛酸四丁酯或异丙醇钛的水解在阴极(20)上生成TiO₂晶种，提供水热合成的反应条件使TiO₂晶种在阴极(20)上自组装定向生长单晶TiO₂纳米棒阵列薄膜，所述单晶TiO₂纳米棒阵列薄膜的膜厚在100nm到500nm之间。

3.如权利要求1所述的倒置型量子点发光二极管的制作方法，其特征在于，采用旋涂成膜的方法形成量子点发光层(40)，所述量子点发光层(40)的材料包括胶体与分散于胶体中的电致发光量子点，所述电致发光量子点为CdZnSe/ZnS，其中，CdZnSe为发光核，ZnS为保护壳，所述量子点发光层(40)的膜厚在20nm到50nm之间。

4.如权利要求1所述的倒置型量子点发光二极管的制作方法，其特征在于，采用旋涂成膜的方法形成空穴传输层(50)，所述空穴传输层(50)的材料包括聚乙烯咔唑，所述空穴传输层(50)的膜厚在1nm到100nm之间；

采用旋涂成膜的方法形成空穴注入层(60)，所述空穴注入层(60)的材料包括PEDOT:PSS，所述空穴注入层(60)的膜厚在1nm到100nm之间。

5.如权利要求1所述的倒置型量子点发光二极管的制作方法，其特征在于，采用磁控溅射成膜的方法形成阴极(20)，所述阴极(20)的材料包括透明导电金属氧化物，所述阴极(20)的膜厚在20nm到200nm之间；

采用真空蒸镀成膜的方法形成阳极(70)，所述阳极(70)的材料包括铝，所述阳极(70)的膜厚在50nm到1000nm之间。

6.一种倒置型量子点发光二极管，其特征在于，包括：衬底基板(10)以及在所述衬底基板(10)上从下到上依次层叠设置的阴极(20)、电子传输层(30)、量子点发光层(40)、空穴传输层(50)、空穴注入层(60)与阳极(70)，其中，所述电子传输层(30)为单晶TiO₂纳米棒阵列薄膜，所述单晶TiO₂纳米棒阵列薄膜包括垂直生长于所述阴极(20)上且呈阵列排布的多个单晶TiO₂纳米棒。

7.如权利要求6所述的倒置型量子点发光二极管，其特征在于，所述单晶TiO₂纳米棒阵列薄膜的膜厚在100nm到500nm之间。

8.如权利要求6所述的倒置型量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层(40)的材料包括胶体与分散于胶体中的电致发光量子点，所述电致发光量子点为CdZnSe/ZnS，其中，CdZnSe为发光核，ZnS为保护壳，所述量子点发光层(40)的膜厚在20nm到50nm之间。

9.如权利要求6所述的倒置型量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层(50)的材料包括聚乙烯咔唑，所述空穴传输层(50)的膜厚在1nm到100nm之间；

所述空穴注入层(60)的材料包括PEDOT:PSS，所述空穴注入层(60)的膜厚在1nm到100nm之间。

10.如权利要求6所述的倒置型量子点发光二极管，其特征在于，所述阴极(20)的材料包括透明导电金属氧化物，所述阴极(20)的膜厚在20nm到200nm之间；

所述阳极(70)的材料包括铝，所述阳极(70)的膜厚在50nm到1000nm之间。