[发明专利]显示面板和显示面板的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板和显示面板的制备方法。

背景技术

随着显示面板分辨率和扫描频率的提高，其整体负载也不断增大，进而导致显示面板的功耗增大、使用寿命降低。显示面板的整体负载与其寄生电容相关，寄生电容包括显示面板的数据线和扫描线之间产生的电容，通过增大数据线和扫描线之间的绝缘层厚度，可以减小寄生电容。然而，为了节约显示面板的工艺流程，显示面板驱动晶体管中的栅介质层是与绝缘层在一步工艺中一体形成的，绝缘层厚度的增大同时导致了栅介质层厚度的增大，使得驱动晶体管的性能降低，导致显示面板的性能减弱。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种显示面板，旨在解决上述绝缘层厚度增加导致栅介质层厚度增大的问题，改善显示面板的性能。

为实现上述目的，本发明提出的显示面板包括子像素，所述子像素包括驱动晶体管，所述驱动晶体管包括栅介质层；存储电容，所述存储电容包括电容介质层；第一绝缘层，所述第一绝缘层设于显示面板的数据线与显示面板的扫描线之间；第二绝缘层，所述第二绝缘层设于所述数据线与显示面板的公共线之间；所述栅介质层、所述第一绝缘层、所述电容介质层和所述第二绝缘层通过半色调掩膜或灰度掩膜工艺一体形成不同厚度的绝缘膜，所述栅介质层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度。

可选地，所述电容介质层的厚度小于所述第二绝缘层的厚度。

可选地，所述第一绝缘层的厚度等于所述第二绝缘层的厚度。

可选地，所述子像素还包括钝化膜，所述钝化膜覆盖所述驱动晶体管、所述数据线、所述扫描线和所述公共线，所述钝化膜包括通孔，子像素电极设于所述钝化膜上，所述子像素电极通过所述通孔与所述驱动晶体管的漏电极电连接。

可选地，所述绝缘膜的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝或氧化铪中的至少一种。

可选地，多个所述子像素呈矩形阵列状排列，至少一所述子像素形成一像素，同一所述像素的所述子像素沿纵向排列；多条所述数据线沿纵向延伸、横向排列；多条所述扫描线沿横向延伸、纵向排列；同一所述像素的所述子像素连接于同一所述数据线，并分别与一不同的所述扫描线连接。

本发明进一步提出一种显示面板的制备方法，用以制备显示面板，所述显示面板包括子像素，所述子像素包括驱动晶体管，所述驱动晶体管包括栅介质层；存储电容，所述存储电容包括电容介质层；第一绝缘层，所述第一绝缘层设于显示面板的数据线与显示面板的扫描线之间；第二绝缘层，所述第二绝缘层设于所述数据线与显示面板的公共线之间；所述栅介质层、所述第一绝缘层、所述电容介质层和所述第二绝缘层通过半色调掩膜或灰度掩膜工艺一体形成不同厚度的绝缘膜，所述栅介质层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度；所述显示面板的制备方法包括以下步骤：在显示面板的基板上沉积第一导电图案，所述第一导电图案包括栅电极和扫描线；在所述第一导电图案上通过半色调掩膜或灰度掩膜工艺沉积绝缘膜图案，所述绝缘膜图案包括栅介质层和第一绝缘层，所述栅介质层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度；在所述绝缘膜图案上沉积第二导电图案，所述第二导电图案包括沟道、源电极、漏电极和数据线。

可选地，所述第一导电图案还包括第二电极与公共线；所述绝缘膜图案还包括电容介质层和第二绝缘层，所述电容介质层的厚度小于所述第二绝缘层的厚度；在所述绝缘膜图案上沉积第二导电图案的步骤之后，所述显示面板的制备方法还包括以下步骤：在所述第二导电图案上沉积钝化膜图案，所述钝化膜包括通孔；在所述钝化膜图案上沉积第三导电图案，所述第三导电图案包括第一电极与子像素电极，所述子像素电极通过所述通孔与所述漏电极电连接。

可选地，在所述第一导电图案上通过半色调掩膜或灰度掩膜工艺沉积绝缘膜图案的步骤包括：在所述第一导电图案上沉积绝缘膜；在所述绝缘膜上沉积光敏剂；通过半色调掩膜版或灰度掩膜版对所述光敏剂曝光；对所述光敏剂显影，以在所述光敏剂上形成与所述绝缘膜图案对应的光敏剂图案，其中，与所述栅介质层对应的部分所述光敏剂图案的厚度小于与所述第一绝缘层对应的部分所述光敏剂图案的厚度；刻蚀所述光敏剂和所述绝缘膜，以形成所述绝缘膜图案。

可选地，所述刻蚀所述光敏剂和所述绝缘膜的步骤包括：灰化光敏剂，以清除所述光敏剂图案中当前厚度最小的部分的光敏剂；干法刻蚀所述绝缘膜；返回所述灰化光敏剂，以清除所述光敏剂图案中当前厚度最小的部分的光敏剂的步骤。