[发明专利]大功率随钻电阻率信号发射装置

权利要求书

1.一种大功率随钻电阻率信号发射装置，其特征在于，所述装置包括：

钻铤本体，其上开设有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽为环形凹槽，所述第二凹槽为矩形凹槽，其中所述第一凹槽和第二凹槽通过第一引线孔进行连通；

发射耦合磁环，其包括环形铁心、磁环绕线，并安装在所述第一凹槽中，

驱动电路板，其包括励磁交变电流产生电路，并安装在所述第二凹槽中，所述电路的输出引线端通过所述第一引线孔连接到所述发射耦合磁环的磁环绕线的两端，以将励磁交变电流信号传送到所述发射耦合磁环上进行发射；

所述发射耦合磁环包括磁环插指对接接口，所述磁环插指对接接口用以将所述发射耦合磁环的各个部分套接在所述钻铤本体上的第一凹槽中；

所述驱动电路板包括：第一匹配电容、第二匹配电容、第三匹配电容，其中，所述磁环绕线的一端连接到第一匹配电容、第二匹配电容、第三匹配电容并联后的一端；以及，

限流电阻，所述磁环绕线的另一端连接到所述限流电阻的一端；

所述驱动电路板还包括：第一上开关PMOS管、第二上开关PMOS管、第一下开关NMOS管和第二下开关NMOS管，其中，

所述第一匹配电容、所述第二匹配电容、所述第三匹配电容并联后的另一端与所述第一上开关PMOS管的漏极、第一下开关NMOS管的漏极的三点相连，所述限流电阻的另一端、第二上开关PMOS管的漏极、第二下开关NMOS管的漏极三点相连接。

2.如权利要求1所述的大功率随钻电阻率信号发射装置，其特征在于，所述驱动电路板还包括：

第一三极管、第二三极管、第三电阻、第一输入缓冲非门、第四电阻、第五电阻、第三三极管、第四三极管，其中

所述第一三极管的基极和所述第四三极管的基极连接到数字电源VDD，所述第一三极管的发射极连接到所述第三电阻的一端，所述第一三极管的集电极、第二电阻的一端、所述第二三极管的基极三点相连，

所述第二三极管的集电极与第一电阻的一端相连，所述第二三极管的发射极与所述第一上开关PMOS管的栅极相连，第一输入缓冲非门的输出、第三电阻的一端、第一下开关NMOS管的栅极三点相连。

3.如权利要求2所述的大功率随钻电阻率信号发射装置，其特征在于，所述驱动电路板还包括：第六电阻、第二输入缓冲非门、稳压电容，其中，

所述第一输入缓冲非门的输出、第三电阻的一端、第一下开关NMOS管的栅极三点相连，第二电阻的一端连接到第一三极管的发射极，

第一上开关PMOS管的源极、第二上开关PMOS管的源极、第一电阻的另一端、第二电阻的另一端、第四电阻的另一端、第五电阻的另一端、稳压电容的一端共同连接到模拟电源VCC上，

第一下开关NMOS管的源极、第二下开关NMOS管的源极、稳压电容的另一端共同连接到地，

第二输入缓冲非门、的输出、第六电阻的一端、第二下开关NMOS管的栅极三点相连。

4.如权利要求3所述的大功率随钻电阻率信号发射装置，其特征在于，在所述驱动电路板中，

所述第三三极管的发射极连接到第六电阻的一端，所述第三三极管的集电极、第四电阻的一端、第四三极管的基极三点相连，

第四三极管的集电极与第四电阻的一端相连，

第四三极管的发射极与第二上开关PMOS管的栅极相连，

第五电阻的一端连接到第三三极管的发射极。