[发明专利]改善拼接曝光姆拉现象的方法有效

专利信息
申请号: 201710739084.4 申请日: 2017-08-25
公开(公告)号: CN107390478B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 雍玮娜;徐向阳 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 改善 拼接 曝光 现象 方法
【说明书】:

发明涉及一种改善拼接曝光姆拉现象的方法,涉及显示面板的制造领域,用于解决现有技术中存在的获得的拼接处的亮度不均,出现拼接姆拉的技术问题。本发明的改善拼接曝光姆拉现象的方法,包括第一掩膜版获得具有黑色矩阵的基板的步骤、用第二掩膜版获得具有色组单元的基板的步骤以及用第三掩膜版获得具有隔垫物的基板的步骤,通过对不同的制程采用不同的掩膜版,并且由于第一掩膜版、第二掩膜版以及第三掩膜版上曝光区的面积均不相同,因此在不同的制程中,基板上拼接处的位置均不相同,因此能够来弱化拼接位置处的异常曝光量,减弱因制程因素对拼接姆拉的恶化作用,从而改善面板在拼接处的质量。

技术领域

本发明涉及光显示面板的制造领域,特别地涉及一种改善拼接曝光姆拉现象的方法。

背景技术

随着各种显示器的迅猛发展,客户对面板尺寸的要求也越来越高,显示器的尺寸也越来越大,为了降低生产成本,生产面板时所需要的掩模版(Mask)的尺寸仍采用较小尺寸(即掩膜版上有效曝光区的面积小于显示器的显示面积),为了获得较大尺寸的面变,采用掩模版拼接曝光的方式来制备较大尺寸的面板。

而在实际生产过程中,彩膜制程(Color Filter,CF)所用的曝光机台的精度交低,在彩膜制程的各道制程过程中,由于挡板的精度,挡板边缘光衍射,以及少量重复曝光等问题,会使得拼接处所接收到的曝光量与非拼接处不一样,再经由各道制程在拼接出的重复叠加作用,会最终导致面板在拼接处的亮度不均,出现拼接姆拉(Mura)。

发明内容

本发明提供一种改善拼接曝光姆拉现象的方法,用于解决现有技术中存在的拼接处的亮度不均,出现拼接姆拉(Mura)的技术问题。

本发明提供一种改善拼接曝光姆拉现象的方法,包括以下步骤:

用第一掩膜版获得具有黑色矩阵的基板;

用第二掩膜版获得具有色组单元的基板;

用第三掩膜版获得具有隔垫物的基板;

所述第一掩膜版、所述第二掩膜版以及所述第三掩膜版上曝光区的面积均不相同。

在一个实施方式中,采用所述第一掩膜版对基板进行至少两次曝光处理获得所述具有黑色矩阵的基板,基板上每次曝光的位置均不相同。

在一个实施方式中,所述第一掩膜版包括曝光面积不同三个的曝光区,采用曝光面积最大的曝光区对基板进行两次曝光处理。

在一个实施方式中,所述第二掩膜版包括用于获得红色光阻单元的红光掩膜版、用于获得绿色光阻单元的绿光掩膜版以及用于获得蓝色光阻单元的蓝光掩膜版;

所述红光掩膜版、所述绿光掩膜版以及所述蓝光掩膜版上曝光区的面积均不相同。

在一个实施方式中,采用所述红光掩膜版对所述具有黑色矩阵的基板行至少两次曝光处理获得具有红色光阻单元的基板,基板上每次曝光的位置均不相同。

在一个实施方式中,采用所述绿光掩膜版对所述具有红色光阻单元的基板行至少两次曝光处理获得具有绿色光阻单元的基板,基板上每次曝光的位置均不相同。

在一个实施方式中,采用所述蓝光掩膜版对所述具有绿色光阻单元的基板行至少两次曝光处理获得具有蓝色光阻单元的基板,基板上每次曝光的位置均不相同。

在一个实施方式中,所述红光掩膜版、所述绿光掩膜版以及所述蓝光掩膜版均包括曝光区的面积不同的三个曝光区。

在一个实施方式中,采用所述第三掩膜版对具有蓝色光阻单元的基板进行至少两次曝光处理获得所述具有隔垫物的基板,基板上每次曝光的位置均不相同。

在一个实施方式中,所述第三掩膜版包括曝光面积不同三个的曝光区,采用曝光面积最大的曝光区对基板进行两次曝光处理。

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