[发明专利]一种测量下限较低的碳纳米管阴极电离规

权利要求书

1.一种测量下限较低的碳纳米管阴极电离规，包括笼状阳极栅网(4)、离子收集极(5)、电级基座(1)以及固定在电级基座(1)上的碳纳米管阴极(2)，其特征在于，所述碳纳米管阴极(2)与笼状阳极栅网(4)的顶部端面(6)相对，电级基座(1)通过设置在基座两端的云母片(3)固定在阳极栅网(4)顶部端面(6)的上方；阳极栅网(4)的顶部端面(6)为网状结构，利用网状结构的阳极栅网(4)的顶部端面(6)直接提取电子。

2.如权利要求1所述的测量下限较低的碳纳米管阴极电离规，其特征在于，所述碳纳米管阴极(2)包括衬底和碳纳米管阵列；所述衬底为含有催化剂铁、钴和镍的催化衬底；所述碳纳米管阵列为多壁碳纳米管阵列。

3.如权利要求2所述的测量下限较低的碳纳米管阴极电离规，其特征在于，碳纳米管阴极(2)的碳纳米管阵列高度为15～30微米。

4.如权利要求2所述的测量下限较低的碳纳米管阴极电离规，其特征在于，采用热化学气相沉积法在衬底上直接生长碳纳米管阵列，获得碳纳米管阴极(2)。

5.如权利要求1所述的测量下限较低的碳纳米管阴极电离规，其特征在于，所述碳纳米管阴极(2)与阳极栅网(4)的顶端(6)之间的间隙为80～150微米。

6.如权利要求1所述的测量下限较低的碳纳米管阴极电离规，其特征在于，所述阳极栅网(4)的顶端(6)的网状结构的物理透过率大于或等于80％；直径为13mm。

7.如权利要求1所述的测量下限较低的碳纳米管阴极电离规，其特征在于，阳极栅网(4)的底端为圆形的不锈钢片结构。

8.如权利要求1所述的测量下限较低的碳纳米管阴极电离规，其特征在于，所述阳极栅网的外圆周为丝网结构。

9.如权利要求1所述的测量下限较低的碳纳米管阴极电离规，其特征在于，所述离子收集极(5)采用直径为0.2～0.4mm的金属细丝，离子收集极(5)位于阳极栅网(4)的轴线上。

10.如权利要求1所述的测量下限较低的碳纳米管阴极电离规，其特征在于，所述云母片的厚度为80～150微米。