[发明专利]一种具有干扰抑制的低噪声放大器电路

权利要求书

1.一种具有干扰抑制的低噪声放大器电路，其特征在于，包括低噪声放大器电路、具有干扰抑制的退化网络；所述低噪声放大器电路包括共源放大器，共源放大器的栅极连接低噪声放大器电路的输入端，共源放大器的漏极连接低噪声放大器电路的输出端、电源端；所述具有干扰抑制的退化网络由电感和电容组成，且具有干扰抑制的退化网络的一端连接共源放大器的源极，另一端连接直流电压端；具有干扰抑制的退化网络在特定频率下产生谐振，降低谐振频率处低噪声放大器电路的增益，从而抑制特定频率处的干扰信号，该特定频率即为干扰信号的频率；

所述具有干扰抑制的退化网络包括第一至第二可调电容、第一至第三电感；第一电感的一端和第一可调电容的一端相接，第一电感的另一端接地，第一可调电容的另一端、第二电感的一端和第二可调电容的一端相接，且第二电感的一端和低噪声放大器电路相接，第二电感的另一端接地，第二可调电容的另一端和第三电感的一端相接，且第二可调电容的另一端和低噪声放大器电路相接，第三电感的另一端和直流电压端相接。

2.一种具有干扰抑制的低噪声放大器电路，其特征在于，包括低噪声放大器电路、具有干扰抑制的退化网络；所述低噪声放大器电路包括共源放大器，共源放大器的栅极连接低噪声放大器电路的输入端，共源放大器的漏极连接低噪声放大器电路的输出端、电源端；所述具有干扰抑制的退化网络由电感和电容组成，且具有干扰抑制的退化网络的一端连接共源放大器的源极，另一端连接直流电压端；具有干扰抑制的退化网络在特定频率下产生谐振，降低谐振频率处低噪声放大器电路的增益，从而抑制特定频率处的干扰信号，该特定频率即为干扰信号的频率；

所述具有干扰抑制的退化网络包括第三至第五可调电容、第四至第五电感；第三可调电容的一端、第四电感的一端均和第五可调电容的一端相接，且第五可调电容的一端和低噪声放大器电路相接，第三可调电容的另一端接地，第四电感的另一端接地，第五电感的一端、第四可调电容的一端均和第五可调电容的另一端相接，且第五可调电容的另一端和低噪声放大器电路相接，第五电感的另一端和直流电压端相接，第四可调电容的另一端接地。

3.根据权利要求1或2所述具有干扰抑制的低噪声放大器电路，其特征在于，所述可调电容采用片上电容或者贴片电容，电感采用片上电感、键合线电感或者贴片电感。

4.根据权利要求1所述具有干扰抑制的低噪声放大器电路，其特征在于，所述低噪声放大器电路包括第一共栅极 晶体管、第三和第四共源极 晶体管、第二和第五cascode晶体管、第一和第二偏置电阻、第六和第七电感、负载可变电容、负载中心抽头电感、第一和第二隔直电容；第一共栅极 晶体管的源极连接第六电感的一端、第七电感的一端和第一隔直电容的一端，第一共栅极 晶体管的栅极连接第二偏置电阻的一端和第二隔直电容的一端，第一共栅极 晶体管的漏极连接第二cascode晶体管的源极；第二cascode晶体管的栅极连接电源端，第二cascode晶体管的漏极连接负载可变电容的一端、负载中心抽头电感的一端和正极输出端；第三和第四共源极 晶体管的栅极均连接第一隔直电容的另一端，第三和第四共源极 晶体管的漏极均连接第二隔直电容的另一端和第五cascode晶体管的源极；第五cascode晶体管的栅极连接电源端，第五cascode晶体管的漏极连接负载可变电容的另一端、负载中心抽头电感的另一端和负极输出端；第六电感的另一端连接输入端，第七电感的另一端接地，负载中心抽头电感的中心抽头端连接电源端；第一偏置电阻的一端连接第三共源极 晶体管的栅极，另一端连接第一直流偏置电压；第二偏置电阻的一端连接第一共栅极 晶体管的栅极，另一端连接第二直流偏置电压。