[发明专利]一种由磁相转变驱动的隧道磁电阻器件有效
| 申请号： | 201710740196.1 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107591478B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 宋成;陈贤哲;潘峰 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 11245 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 转变 驱动 隧道 磁电 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种由磁相转变驱动的隧道磁电阻器件，包括依次叠加的基片、底电极、隧穿层和顶电极；其特征在于：所述底电极具有铁磁相变，材质为α-FeRh合金或FeGa3；
所述底电极的厚度大于3nm；
所述隧穿层的材质为MgO或Al2O3；
所述隧穿层的厚度为1.5 nm~3 nm；
所述底电极和所述隧穿层之间还设有插入层；
所述插入层的材质为顺磁性金属，所述顺磁性金属为γ-FeRh；
所述插入层的厚度为0.2 nm~1.2 nm；
由所述MgO构成的所述隧穿层采用磁控溅射或电子束蒸镀的方法制备；
由所述Al2O3构成的所述隧穿层采用下述任意一种方法制备：磁控溅射、电子束蒸镀、Al的等离子体氧化和Al自然氧化；
所述顶电极的材质为γ-FeRh、Pt或Ta；
所述基片为单晶MgO。
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