[发明专利]嵌入式芯片封装及用于制造嵌入式芯片封装的方法有效
申请号: | 201710740458.4 | 申请日: | 2013-10-18 |
公开(公告)号: | CN107546140B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | G.比尔;W.哈特纳 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/538;H01L23/66;H01L25/10;H01L25/16;H01Q1/22 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜荔南 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 嵌入式 芯片 封装 用于 制造 方法 | ||
1.一种用于制造嵌入式芯片封装的方法,所述方法包括:
在衬底上方形成导电线的第一层以形成预制通孔装置;
在垂直于导电线的方向上切割所述预制通孔装置;
将所切割的预制通孔装置垂直地放置得紧邻包括芯片的芯片装置的第一侧,所述芯片包括芯片底侧面和芯片顶侧面,所述芯片顶侧面包括一个或多个接触焊盘,其中导电线中的一个或多个被布置为接近于所述芯片的第一侧壁,并且其中所切割的预制通孔装置被转动使得所述导电线面对所述芯片的第一侧壁;以及
在将所切割的预制通孔装置放置得紧邻芯片装置之后,垂直于导电线以及平行于所述芯片的顶侧面地在所述芯片装置上方形成一个或多个电互连,以将至少一个导电线电连接至接触焊盘中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
形成在所述预制通孔装置上方的并且至少部分围绕所述导电线的第一层和/或第二层中的每一个的电绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的方法,
其中使用平面沉积将所述导电线的第一层形成在所述衬底上方。
4.根据权利要求1所述的方法,
其中所述导电线的第一层和/或第二层是彼此平行和相对彼此成一角度布置中的一种。
5.根据权利要求1所述的方法,
其中所述导电线中的每一个包括金属。
6.根据权利要求1所述的方法,
其中所述衬底包括来自以下材料组中的至少一种材料,所述材料组包含:模制复合物、层压材料、陶瓷、半导体、液晶聚合物和隔离的金属衬底。
7.根据权利要求2所述的方法,
其中所述电绝缘材料包括来自以下材料组中的至少一种材料,所述材料组包含:模制复合物;层压材料;热固性塑料;热塑性塑料;陶瓷;以及它们的组合。
8.根据权利要求1所述的方法,
其中所述芯片包括一个或多个芯片侧壁,并且
其中所述一个或多个接触焊盘形成在芯片顶侧面和芯片底侧面的至少一个上方。
9.根据权利要求8所述的方法,
其中所述导电线的第一层平行于芯片侧壁。
10.根据权利要求8所述的方法,
其中所述导电线的第一层被布置为与芯片侧壁等距。
11.一种用于制造嵌入式芯片封装的方法,所述方法包括:
在第一衬底侧面上方形成导电线的第一层以形成预制通孔装置,其中每个导电线被至少部分围绕所述导电线的电绝缘材料覆盖;
在垂直于导电线的方向上切割所述预制通孔装置;
将所切割的预制通孔装置的表面垂直地放置得紧邻包括芯片的芯片装置的第一侧,所述芯片包括芯片底侧面和芯片顶侧面,所述芯片顶侧面包括一个或多个接触焊盘,其中导电线的第一层被布置为接近于所述芯片的第一侧壁,并且其中所切割的预制通孔装置被转动使得所述导电线面对所述芯片的第一侧壁;以及
在将所切割的预制通孔装置放置得紧邻芯片装置之后,垂直于导电线的接续的层以及平行于所述芯片的顶侧面地在所述芯片装置上方形成至少一个电互连,以将至少一个导电线电连接至接触焊盘中的至少一个。
12.根据权利要求11所述的方法,
进一步包括形成在所述衬底上方的并且至少部分围绕所述导电线的第一层的第一电绝缘材料。
13.根据权利要求12所述的方法,
进一步包括在所述导电线的第二层上方形成第二电绝缘材料。
14.根据权利要求13所述的方法,
其中将所切割的预制通孔装置放置得紧邻所述芯片装置包括:
将所述第二电绝缘材料邻接至所述芯片装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710740458.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造