[发明专利]存储系统及其损耗均衡方法

说明书

一种存储系统包括：存储器件，其对存储器件中包括的多个存储块之中的存储块中包括的线执行写入操作；计数单元，其对多个存储块中的每个存储块的写入计数进行计数，并且输出写入计数；第一损耗均衡单元，其通过将多个存储块中的每个存储块的线移位来执行损耗均衡操作；以及第二损耗均衡单元，其基于写入计数来检测多个存储块之中的热存储块和冷存储块，并且将热存储块与冷存储块交换，其中第二损耗均衡单元基于写入计数来选择多个存储块之中的至少一个存储块，并且检查是否对选中的存储块中包括的线中的每个线执行了写入操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年10月24日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0138356的韩国专利申请的优先权，其公开通过引用整体合并于此。

技术领域

示例性实施例涉及一种存储系统，更具体地，涉及一种对非易失性存储器件执行损耗均衡的存储系统及其操作方法。

背景技术

半导体存储器件通常被分为易失性存储器件和非易失性存储器件。

虽然易失性存储器件具有高的写入和读取速度，但是当电源被切断时其丢失储存在其中的数据。易失性存储器件的示例包括动态随机存取存储器(DRAM)、静态RAM(SRAM)等。虽然非易失性存储器件具有相对低的写入速度和读取速度，但是即使在电源被切断时其仍保留储存在其中的数据。因此，通常，当需要储存不管电源状态如何都应该被保留的数据时，使用非易失性存储器件。非易失性存储器件的代表性示例包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、快闪存储器、相变RAM(PCRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

诸如RRAM和PCRAM的非易失性存储器件具有有限的写入耐久性。写入耐久性可以被定义为在储存介质失去其可靠性之前允许存储块的编程循环/写入循环的数量。写入耐久性可以通过估计存储器被使用的多么频繁和多么均匀来计算。

因此，当写入操作集中在特定单元时，存储器件的寿命可能会迅速降低。通常，为了解决上述问题，执行损耗均衡操作，使得对存储器件的单元区域更均匀地执行写入操作。损耗均衡操作是用于改善储存介质的写入耐久性的技术。在这种技术中，当将数据写入储存介质时，对各个存储单元执行分布式写入操作。因此，可以减少储存介质的特定存储单元的重复使用，并且可以更均匀地使用存储单元。通常，损耗均衡操作通过存储器控制器来执行。例如，存储器控制器控制存储单元使得：当从主机接收到对储存介质的写入请求时，考虑到重写操作的数量，通过执行逻辑地址与物理地址之间的适当映射操作来主要对空存储单元之中被较少使用的存储单元执行写入操作。

发明内容

各种实施例涉及一种存储系统及其操作方法，该存储系统能够检查对存储区域的重复写入操作并对存储区域分类，使得对存储区域均匀地执行写入操作。

根据本发明的实施例，存储系统包括：存储器件，被配置为对存储器件中包括的多个存储块之中的存储块中包括的一个或更多个线执行写入操作；计数单元，被配置为对所述多个存储块中的每个存储块的写入计数进行计数，并且输出写入计数；第一损耗均衡单元，被配置为通过将所述多个存储块中的每个存储块的所述一个或更多个线移位来执行损耗均衡操作；以及第二损耗均衡单元，被配置为基于写入计数来检测所述多个存储块之中的热存储块和冷存储块，并且将热存储块与冷存储块交换，其中第二损耗均衡单元基于写入计数来选择所述多个存储块之中的至少一个存储块，并且检查是否对选中的存储块中包括的所述一个或更多个线中的每个线执行了写入操作。