[发明专利]一种La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710741647.3 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107540373B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 严继康;甘有为;姜贵民;刘明;甘国友;谈松林;张家敏;杜景红;易建宏 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/493 | 分类号： | C04B35/493;C04B35/622;C04B41/88 |
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| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 la 离子 掺杂 pzt 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
(1)按比例称量Pb3O4、GaO、Ta2O5、TiO2、ZrO2、La2O3后进行球磨，球磨后烘干、研磨、过60～80目筛，筛后的物料进行预压，预压后的块状物料在密闭条件下750～900℃煅烧1.5～2h；
(2)将步骤(1)中煅烧后的物料碾碎二次球磨，然后烘干、过250～325目筛，加PVA水溶液，充分研磨，再过60～80目筛；
(3)将步骤(2)过筛的物料，模压成型得到生坯片，将生坯片在500～600℃脱脂，然后在1180℃～1260℃保温1.5～2h，得到烧结体；
(4)将步骤(3)得到的烧结体进行抛光，在表面涂抹中温银浆后烘干，在600～700℃下烧结1.5～2h，得到被银陶瓷片；
(5)将步骤(6)得到的被银陶瓷片放入120～130℃的硅油中，以2～3kv/mm直流电压极化15～20min后，取出在空气中自然老化22～24h得到陶瓷片；
所述La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料，组成为：
Pb0.98Ga0.02(Zr0.52Ti0.48)0.96Ta0.04O3+xwt％La2O3，其中x＝0.1～1。
2.根据权利要求1所述La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中球磨的转速为200～300rad/min，时间为10～12h，烘干的温度为80～90℃。
3.根据权利要求1所述La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中PVA水溶液按照原料总质量6％的比例添加，其质量百分比浓度为11％～12％。
4.根据权利要求1所述La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤(4)中烘干的温度为80～90℃。
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