[发明专利]一种用于加工太阳能硅片的烧结、抗光衰一体机

说明书

本发明涉及一种用于加工太阳能硅片的烧结、抗光衰一体机，包括烧结炉和抗光衰炉，烧结炉包括烘干段、烧结段以及冷却段，烘干段处设有一燃烧塔，燃烧塔包括一燃烧箱体，其内部空间由隔热墙依次分隔为第一燃烧区、过渡区、第二燃烧区以及冷却区。烧结段包括烧结炉腔，在该烧结炉腔的一端顶部设有第一排废口、另一端顶部设有第二排废口以及中部顶端设有第三排废口；针对第一排废口设有第一有机回收装置，针对第二排废口设有第二有机回收装置，针对第三排废口设有第三有机回收装置。抗光衰炉包括一光源箱箱体，光源箱箱体内设有光源，光源采用LED灯阵列布置，在光源箱箱体内设有冷却装置，冷却装置包括风冷冷却结构和水冷冷却结构。

技术领域

本发明属于太阳能硅片的制备设备，具体涉及一种用于加工太阳能硅片的烧结、抗光衰一体机。

背景技术

众所周知，在晶体硅太阳能电池硅片的生产中，当硅片印刷之后，需要将带有浆料的硅片通过烧结炉烘干烧结，然后再通过抗光衰炉激活硅片的抗光衰能力。其中，烧结炉通常包括烘干区、烧结区以及冷却区。抗光衰炉通常包括光源箱、传送装置以及加热装置，光源箱体上设置有灯管、冷凝器以及离心风机。

其中，在烧结炉中，由于对带银浆的硅片进行烘干，此时产生的有机废气较多，为了提高排废效率，以往的烧结炉在烘干区设置有机排废风管，将有机废气从有机排废风管中排出。

为了将烘干段的有机废气及时消除，现有市场上出现将烘干段有机废气吸收并燃烧的燃烧塔，但是这种燃烧塔存在以下缺点：1、现有燃烧塔采用直通式，容易导致有机废气在燃烧塔中燃烧不充分，使得排至外界的气体中仍然残留有机废气，甚至存在未经燃烧完全的有毒气体（例如CO）排至燃烧塔外，最终污染环境；2、现有燃烧塔采用直通式，为了尽量燃烧充分，需要将燃烧塔设置较高，但是又因为厂房楼层较低，使得燃烧塔的高度受室内空间高度的限制，直接导致燃烧塔内的燃烧程度受室内空间高度限制。综上，由此看来，现有的燃烧塔具有燃烧不充分、占地空间大、以及燃烧塔燃烧率和燃烧塔空间高度之间存在矛盾的致命缺点，即若要提高燃烧率，就需要加长燃烧塔高度，若要缩短燃烧塔高度，就只能降低燃烧率。

据发明人了解，在烧结过程中，烧结段中大约有90%的有机废气能够从两端的排废口排出，但仍然有剩余的10%无法抵达两端并排出，如果中部产生的有机物废气抵达不了两端，就会产生有机废物覆在烧结炉的炉腔中，炉腔积有机废物必然对烧结的硅片产生污染。

另外，在抗光衰过程中，现有抗光衰炉包括上炉胆、下炉胆、光源箱、传送装置以及加热装置，光源箱体上设置有光源、冷凝器以及离心风机，冷凝器的一端与光源箱体内部相通，另一端与离心风机相通。现有技术光源强度不够，温度缺过高，虽然光源箱体内部设有冷却装置，即采用冷凝器，但是这种冷却方式通常是在铜管中输送冷却水对光源进行冷却，但是由于铜管的铜管壁很薄，且在铜管拐弯处采用焊接连接，因此容易发生泄漏，如果将冷凝器靠近光源设置，容易因泄漏导致元器件漏电，因此只能将冷凝器设置在离光源较远位置，这种冷却方式效果不理想，带走的热量有限，导致光源箱内高温积蓄，造成硅片通过通道处的温度过高，不仅无法达到光源箱内所需的温度条件，而且还对元器件有损坏。

另外，目前市场上还未出现过将烧结炉和抗光衰炉设置成一整机的结构，因为烧结炉和抗光衰炉分开设置，分开加工，从而导致加工工序长，加工设备长度过长、占地面积较大。

因此，提供一种用于加工太阳能硅片的烧结、抗光衰一体机是本发明所要研究的课题。

发明内容

本发明目的是提供一种用于加工太阳能硅片的烧结、抗光衰一体机，以解决现有技术中烧结炉中的燃烧塔有机废气燃烧不充分、燃烧塔占地空间大、烧结段排废不及时，导致有机废物堆积污染硅片的问题；以及抗光衰炉中冷却装置冷却效果差等问题。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种用于加工太阳能硅片的烧结、抗光衰一体机，包括传输网链、烧结炉以及抗光衰炉，所述烧结炉和抗光衰炉由传输网链串联连接；