[发明专利]OLED显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201710745221.5 | 申请日: | 2017-08-25 |
公开(公告)号: | CN107331692B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 唐甲;任章淳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本发明提供一种OLED显示面板及其制作方法。本发明的OLED显示面板,其OLED背板和封装盖板之间在对应于像素间隔区域的上方设有光线遮挡层,以遮挡像素的侧向漏光,从而可以将每一顶发射型OLED发出的光线限定在其所对应的像素内发射,进而有效避免了像素侧向漏光和混色问题的发生。本发明的OLED显示面板的制作方法,通过在对应于像素间隔区域上方于OLED背板和封装盖板之间设置光线遮挡层,以遮挡像素的侧向漏光,从而可以将每一顶发射型OLED发出的光线限定在其所对应的像素内发射,进而有效避免了像素侧向漏光和混色问题的发生。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diodes,OLED)显示器具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、宽视角、使用温度范围广,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。目前应用OLED的产品主要分布在小尺寸的手机、平板电脑(Pad)和较大尺寸的电视(TV)屏幕等。
OLED具有依次形成于基板上的阳极、有机发光材料层和阴极。在大尺寸OLED显示器的应用方向,市面上的产品大多采用底发射型(Bottom emission)结构,将OLED的阴极采用较厚的金属层,采用该结构的OLED显示面板,有机发光材料层发出的光线需要穿透其下方的平坦层(PLN)层及薄膜晶体管(TFT)层,从而降低了发光效率,因此,随着分辨率的增长,底发射型OLED会受到开口率的限制,难以实现高分辨率,越来越多的从业者将精力转向顶发射型(Top emission)OLED的开发,以提高发光效率并实现高分辨率的显示。
但是对于全彩显示的顶发射型OLED显示面板来说,如图1所示,由于每一像素(pixel)的OLED11并非仅是垂直地射向盖板20,而是类似于辐射的方式在OLED背板10上方发射光线,又由于盖板20和OLED背板10在各像素之间不设置遮挡物,那么这就很容易导致本像素的OLED11发出的光线射到另一像素的区域内而产生像素侧向漏光的问题,进而在各像素之间即图中圆圈标示处产生混色的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示面板,其OLED背板和封装盖板之间在对应于像素间隔区域上方设有光线遮挡层,从而可以将每一顶发射型OLED发出的光线限定在其所对应的像素内发射,进而有效避免了像素侧向漏光和混色问题的发生。
本发明的目的还在于提供一种OLED显示面板的制作方法,通过在对应于像素间隔区域上方于OLED背板和封装盖板之间设置光线遮挡层,从而可以将每一顶发射型OLED发出的光线限定在其所对应的像素内发射,进而有效避免了像素侧向漏光和混色问题的发生。
为实现上述目的,本发明提供一种OLED显示面板,包括相对设置的OLED背板和封装盖板及设于所述封装盖板靠近OLED背板的一侧上的光线遮挡层;
所述OLED背板包括TFT阵列基板及设于所述TFT阵列基板上阵列排布的多个顶发射型OLED;
所述OLED背板具有像素间隔区域及由所述像素间隔区域间隔出的与所述多个顶发射型OLED一一对应的多个像素发光区域;
所述光线遮挡层位于所述OLED背板和封装盖板之间并对应抵靠在所述OLED背板的像素间隔区域上。
所述光线遮挡层为有机光阻材料或无机材料。
每一所述顶发射型OLED包括由下至上依次层叠设于所述TFT阵列基板上的阳极、有机发光材料层及透明阴极。
所述OLED背板还包括设于TFT阵列基板和阳极上的像素定义层,所述像素定义层具有暴露出部分阳极的过孔,每一所述顶发射型OLED的有机发光材料层对应设置于一所述过孔内;所述OLED背板对应于所述像素定义层的区域为像素间隔区域,对应于所述过孔的区域为像素发光区域;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的