[发明专利]一种基质栽培菊花的方法在审

专利信息
申请号: 201710746144.5 申请日: 2017-08-26
公开(公告)号: CN107484645A 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 徐伟 申请(专利权)人: 芜湖市丹洋现代农业科技发展有限公司
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00;C05G1/00
代理公司: 北京汇信合知识产权代理有限公司11335 代理人: 寇俊波
地址: 241000 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 基质 栽培 菊花 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及无土栽培领域,具体为一种基质栽培菊花的方法。

背景技术

基质栽培是无土栽培中成本最低、适用范围最广的一种方式,将菊花的根系固定在基质中,并通过滴灌的方式供给营养,外观美丽,不仅适用于低成本栽培,还可以用于观赏。

发明内容

为了解决上述问题,本发明提出一种基质栽培菊花的方法。

一种基质栽培菊花的方法,其具体步骤如下:

(1)收集基质:在农村收集有机废弃物,然后将有机废弃物粉碎,同时加入氮肥、钾肥、磷肥;

(2)发酵:将粉碎后的有机废弃物加入适量发酵剂进行发酵;

(3)制基质:对发酵后的有机废弃物注水,翻转均匀后,将有机废弃物堆积在地面,并在有机废弃物上盖上不透气薄膜;

(4)放置:将有机废弃物放置在发酵室内发酵;

(5)翻搅:按照一定规律进行翻堆发酵,初期温度保持在40℃-50℃,发酵的高潮期保持在50℃-70℃,后期结束温度保持在40℃-50℃,湿度始终保持在55%-65%;

(6)制槽:使用可溶性泡沫制成平板用来固定菊花幼苗,在平板上扎若干小孔并平板上设置透水薄膜,同时使用可溶性泡沫制成V形槽;

(7)打孔:平板设置在V形槽内并低于V形槽两厘米,在V形槽的内壁上也设置若干小孔;

(8)浇水:在V形槽的两个内壁上处于平板上方的位置处悬挂两个细长,在水管上每隔5厘米处设置用于喷射营养水的雾化喷头;

(9)装配:当有机废弃物腐熟后,置于营养液中,使得含水量在60%-80%,将有机废弃物置于V形槽内,将平板置于V形槽上;

(10)插苗:然后将菊花幼苗插到平板小孔上,根据菊花幼苗的两个生长阶段喷洒两种营养水。

所述的步骤(1)收集基质中的有机废弃物为农作物秸秆类、动物粪便类,同时添加一些沙子类隔离物。

所述的步骤(3)制基质中将有机废弃物制成方体,也可为圆柱状,高度均匀即可。

所述的步骤(5)翻搅中的按照一定规律为每2-3天翻一次有机废弃物,在发酵室发酵7-10天即可。

所述的步骤(7)打孔中的平板上的小孔分为两种,一种是用于插入菊花幼苗的一号孔,每隔20公分一个;另一种是用于渗透营养水的二号孔,在每个一号孔附近呈圆周状分布。

所述的步骤(10)插苗中的菊花幼苗分为两个生长阶段,第一生长阶段为成长期,营养水含量水肥比例为7:3,其中肥的比例为40%氮、10%钾、10%磷、10%钙、10%镁、10%硫、10%尿素;第二生长阶段为成熟期,营养水含量水肥比例为8:2,其中肥的比例为30%氮、20%钾、10%磷、10%钙、10%镁、10%硫、10%尿素。

所述的有机废弃物使得基质营养丰富。

本发明的有益效果是:相对于有土栽培,基质栽培减少了细菌滋生;利用农村有机废弃物降低了成本;设计成V形槽使得过多的水可顺着V形槽内壁上的小孔漏下,防止积水过多使根部腐烂;同时V形槽可使用透明物体做观赏用,延长了产业链;利用发酵室腐熟相对于太阳能腐熟节约了时间,减少了成本;根据菊花的不同生长阶段浇不同的肥水,具有相对性。

具体实施方式

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面对本发明进一步阐述。

实施例一:

一种基质栽培菊花的方法,其具体步骤如下:

(1)收集基质:在农村收集有机废弃物,然后将有机废弃物粉碎,同时加入氮肥、钾肥、磷肥;

(2)发酵:将粉碎后的有机废弃物加入适量发酵剂进行发酵;

(3)制基质:对发酵后的有机废弃物注水,翻转均匀后,将有机废弃物堆积在地面,并在有机废弃物上盖上不透气薄膜;

(4)放置:将有机废弃物放置在发酵室内发酵;

(5)翻搅:按照一定规律进行翻堆发酵,初期温度保持在40℃-50℃,发酵的高潮期保持在50℃-70℃,后期结束温度保持在40℃-50℃,湿度始终保持在55%-65%;

(6)制槽:使用可溶性泡沫制成平板用来固定菊花幼苗,在平板上扎若干小孔并平板上设置透水薄膜,同时使用可溶性泡沫制成V形槽;

(7)打孔:平板设置在V形槽内并低于V形槽两厘米,在V形槽的内壁上也设置若干小孔;

(8)浇水:在V形槽的两个内壁上处于平板上方的位置处悬挂两个细长,在水管上每隔5厘米处设置用于喷射营养水的雾化喷头;

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