[发明专利]基于POFV树脂塞孔饱满度及热应力后塞孔树脂膨胀控制工艺在审
| 申请号： | 201710747511.3 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN107567180A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 何国辉;郭世勇;冯岩;吴为;姚丽萍 | 申请（专利权）人： | 广德新三联电子有限公司;杭州新三联电子有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02;H05K3/00;H05K3/42 |
| 代理公司： | 温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙)33262 | 代理人： | 汤时达 |
| 地址： | 242000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 pofv 树脂 饱满 应力 后塞孔 膨胀 控制 工艺 | ||
1.基于POFV树脂塞孔饱满度及热应力后塞孔树脂膨胀控制工艺，其特征在于，包括如下过程：
SS01钻孔；
SS02PTH；
SS03一次电镀；
SS04POFV树脂塞孔；
SS05树脂研磨；
SS06PTH；
SS07二次电镀；
SS08图形转移。
2.根据权利要求1所述的基于POFV树脂塞孔饱满度及热应力后塞孔树脂膨胀控制工艺，其特征在于，所述SS03一次电镀的镀层厚度在20-40μm。
3.根据权利要求1所述的基于POFV树脂塞孔饱满度及热应力后塞孔树脂膨胀控制工艺，其特征在于，所述SS07二次电镀的镀层厚度在20-40μm。
4.根据权利要求1所述的基于POFV树脂塞孔饱满度及热应力后塞孔树脂膨胀控制工艺，其特征在于，所述SS01钻孔通过机械钻孔的方式。
5.根据权利要求1所述的基于POFV树脂塞孔饱满度及热应力后塞孔树脂膨胀控制工艺，其特征在于，所述SS05树脂研磨通过陶瓷刷磨板机研磨。
6.根据权利要求1所述的基于POFV树脂塞孔饱满度及热应力后塞孔树脂膨胀控制工艺，其特征在于，所述图形转移包括网印图像转移和光化学图像转移。
7.根据权利要求1所述的基于POFV树脂塞孔饱满度及热应力后塞孔树脂膨胀控制工艺，其特征在于，所述SS04POFV树脂塞孔空口覆盖镀铜层，孔内充满POFV树脂塞，孔口凹陷深度在0-25μm的范围。
8.根据权利要求1所述的基于POFV树脂塞孔饱满度及热应力后塞孔树脂膨胀控制工艺，其特征在于，所述SS02PTH和SS06PTH中PTH英文缩写为PLATING Through Hole孔金属化。
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