[发明专利]封装薄膜、电子装置及其制备方法有效
申请号: | 201710747620.5 | 申请日: | 2017-08-25 |
公开(公告)号: | CN109427991B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 朱佩;曹蔚然 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L23/29;H01L21/56 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艳丽 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 薄膜 电子 装置 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种封装薄膜和电子装置及其制备方法。本发明封装薄膜包括氮化物陶瓷膜层、在所述氮化物陶瓷膜层上形成的第一氧化物陶瓷膜层和在所述第一氧化物陶瓷膜层上形成的第二氧化物陶瓷膜层。本发明电子装置包括用于封装电子元件的本发明封装薄膜。本发明封装薄膜通过氮化物陶瓷膜层与两层氧化物陶瓷膜层构成复合封装膜层结构,其阻隔水氧作用优异,结构稳定,保证了电子装置电化学性能的稳定,延长了工作寿命。
技术领域
本发明属于包封膜技术领域,具体涉及一种封装薄膜、包含所述封装薄膜的电子装置和其制备方法。
背景技术
封装薄膜可以用于保护对外部因素如水分或氧气敏感的电子元件(如二极管)、太阳能电池或者二次电池。
电子元件的寿命是非常重要的一项参数。提高电子元件的寿命,使其达到商用水平,封装是至关重要的一个环节。对于电子元件而言,封装不仅仅是防止划伤等物理保护,更重要的是防止外界环境中水汽,氧气的渗透。这些环境中的水汽渗透到器件内部,会加速器件的老化。因此电子元件的封装结构必须具有良好的渗透阻挡功能。
当前,商用的电子元件的封装技术正从传统的盖板式封装向新型薄膜一体化封装发展。相对比于传统的盖板封装,薄膜封装能够明显降低器件的厚度与质量,约节省50%的潜在封装成本,同时薄膜封装能适用于柔性器件。薄膜封装技术将是发展的必然趋势。如在欧司朗OLED有限责任公司的一份专利中公开了采用膜层封装,具体是采用有机或无机封装层,并在膜层封装层外表面还增设一金属层。因此,根据其封装层的作用,其主要起到将热传递至金属层以便散热。而且其没有具体公开有机或无机为何种材料以及形成的工艺条件。
虽然陶瓷膜具有良好的水、氧阻隔性,良好的阶梯型覆盖以及极佳的厚度均匀性,可以尝试用于电子元件封装阻挡层材料,但是,在生成陶瓷薄膜的过程中缺陷(针孔、裂纹等)会不可避免地产生,缺陷的存在大大降低了其阻隔能力。同时陶瓷膜会产生较大的应力,严重影响封装质量。另外,当设置多层多层陶瓷膜本体结构时,热膨胀系数的差异,使得多层陶瓷膜在叠加时容易产生兼容性的问题,进而影响封装薄膜质量。
因此,如何提高电子元件如电子元件的封装效果目前本行业一直在努力解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的所述不足,提供一种封装薄膜,以解决现有如采用陶瓷作为封装薄膜质量不稳定,而且水氧阻隔能力差的技术问题。
本发明另一目的在于提供一种电子装置和其制备方法,以解决现有电子装置由于封装构件水氧阻隔性差,结构不稳定等因素造成的电子装置性能稳定性差,寿命不理想的技术问题。
为了实现所述发明目的,本发明一方面,提供了一种封装薄膜。所述封装薄膜,所述第一氧化物陶瓷膜层表面包括:
氮化物陶瓷膜层;
在所述氮化物陶瓷膜层上形成的第一氧化物陶瓷膜层;和
在所述第一氧化物陶瓷膜层上形成的第二氧化物陶瓷膜层。
本发明另一方面,提供了一种电子装置,所述电子装置包括:
衬底;
在衬底上形成的电子元件;和
本发明封装薄膜,所述封装薄膜封装所述电子元件;
其中,所述氮化物陶瓷膜层设置在所述衬底和/或电子元件表面;
所述第一氧化物陶瓷膜层层叠结合在所述氮化物陶瓷膜层表面;
所述第二氧化物陶瓷膜层层叠结合在所述第一氧化物陶瓷膜层表面。
本发明又一方面,提供了一种电子装置的制备方法。所述电子装置的制备方法包括如下步骤:
提供基材,所述基材包括衬底和设置于所述衬底上的电子元件;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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