[发明专利]AMOLED基板的制作方法及AMOLED基板在审
| 申请号： | 201710747902.5 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN107622973A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 马蹄遥 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32;H01L21/324 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | amoled 制作方法 基板 | ||
1.一种AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述AMOLED基板的制作方法包括如下步骤：
步骤S10、提供一衬底基板；
步骤S20、在所述衬底基板表面形成PI膜；
步骤S30、在所述PI膜表面形成隔离层；
步骤S40、在所述隔离层表面形成非金属层；
步骤S50、在所述非金属层表面形成缓冲层；
步骤S60、在所述缓冲层表面形成TFT阵列，在形成TFT阵列中采用有准分子激光退火工艺；
其中，设置于所述PI膜上方的所述非金属层用于吸收所述TFT阵列的制备过程中穿透所述缓冲层的激光。
2.根据权利要求1所述的AMOLED基板的制作方法，其特征在于，在步骤S60中使用的准分子激光的波长为308nm。
3.根据权利要求2所述的AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述非金属层包括层叠设置的非晶硅层和氧化硅层。
4.根据权利要求3所述的AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述缓冲层为氮化硅层。
5.根据权利要求4所述的AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述氧化硅层设置于所述非晶硅层的表面靠近氮化硅层的一侧。
6.根据权利要求1所述的AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S40为:
采用等离子体增强化学气相沉积工艺在所述隔离层上对所述非金属层进行成膜。
7.一种AMOLED基板，其特征在于，所述AMOLED基板包括依次层叠设置的柔性衬底、PI膜、隔离层、非金属层、缓冲层和TFT阵列；
其中，设置于所述PI膜上方的所述非金属膜层用于吸收TFT阵列制备过程中穿透所述缓冲层的激光。
8.根据权利要求7所述的AMOLED基板，其特征在于，所述非金属层包括非晶硅层和氧化硅层。
9.根据权利要求8所述的AMOLED基板，其特征在于，所述缓冲层为氮化硅层。
10.根据权利要求9所述的AMOLED基板，其特征在于，所述氧化硅层设置于所述非晶硅层的表面靠近氮化硅层的一侧。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
