[发明专利]芯片和电子设备有效
| 申请号： | 201710749258.5 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109427765B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 杨梁 | 申请（专利权）人： | 龙芯中科技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨泽;刘芳 |
| 地址： | 100095 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 电子设备 | ||
1.一种芯片，其特征在于，包括：设置在芯片中的静电电流泄放主干通路，所述静电电流泄放主干通路绝缘设置在所述芯片的上层，所述静电电流泄放主干通路覆盖所述芯片平面或者围绕所述芯片的四周，所述静电电流泄放主干通路为闭合通路，所述静电电流泄放主干通路的阻抗值小于预设数值；
所述芯片包括多个电压域，每个电压域包括静电电流泄放支路；
每个电压域中的静电电流泄放支路与所述静电电流泄放主干通路并联连接；
第一电压域中的静电电流泄放支路通过导线直接与所述静电电流泄放主干通路并联连接，所述第一电压域不包括噪声敏感电路；
第二电压域中的静电电流泄放支路通过噪声隔离电路与所述静电电流泄放主干通路并联连接，所述第二电压域包括噪声敏感电路。
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述噪声隔离电路包括背靠背二极管。
3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述背靠背二极管为多个。
4.根据权利要求1至3任一项所述的芯片，其特征在于，若电压域包括多个静电电流泄放支路，则电压域中的每个静电电流泄放支路均与所述静电电流泄放主干通路并联连接。
5.根据权利要求1至3任一项所述的芯片，其特征在于，所述静电电流泄放主干通路为平面或者封闭的环。
6.根据权利要求1至3任一项所述的芯片，其特征在于，所述静电电流泄放主干通路为下列中的任意一种：静电保护环、静电保护平面、密封环、内部保护环、内部地平面。
7.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的芯片。
8.根据权利要求7所述的电子设备，其特征在于，所述芯片为片上系统SOC芯片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
