[发明专利]同时产生多种温度特性参考电流的带隙基准参考源电路

权利要求书

1.一种同时产生多种温度特性参考电流的带隙基准参考源电路，其特征在于，所述带隙基准参考源电路包括：

零温度系数电压、正温度系数电流输出电路，用于产生零温度系数的电压和正温度系数的电流，所述零温度系数电压、正温度系数电流输出电路包括：第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一双极型晶体管(Q1)、第二双极型晶体管(Q2)、第三双极型晶体管(Q3)、第一P沟道场效应管(MP1)、第二P沟道场效应管(MP2)、第三P沟道场效应管(MP3)、第一N沟道场效应管(MN1)和第二N沟道场效应管(MN2)；

负温度系数电流输出电路，用于产生负温度系数的电流，所述负温度系数电流输出电路包括由第四P沟道场效应管(MP4)和第五P沟道场效应管(MP5)构成的第一电流镜、第三电阻(R3)和第三N沟道场效应管(MN3)；

零温度系数电流输出电路，用于产生零温度系数的电流，所述零温度系数电流输出电路包括由第六P沟道场效应管(MP6)和第七P沟道场效应管(MP7)构成的第二电流镜；以及

运算放大器(A)，所述运算放大器的输出端分别连接第一N沟道场效应管(MN1)、第二N沟道场效应管(MN2)、第三N沟道场效应管的栅极(MN3)；

其中，所述第一P沟道场效应管(MP1)的源极与电源(VDD)连接，栅极和漏极短接，且所述第一P沟道场效应管(MP1)的栅极分别与所述第一N沟道场效应管(MN1)和所述第二N沟道场效应管(MN2)的漏极连接，所述第一N沟道场效应管(MN1)的源极分别与所述运算放大器的正向输入端(VP)和所述第一双极型晶体管(Q1)的发射极连接，所述第二N沟道场效应管(MN2)的源极分别与所述运算放大器的反向输入端(VN)和所述第一电阻R1的一端连接，所述第一电阻(R1)的另一端连接所述第二双极型晶体管(Q2)的发射极；所述第二P沟道场效应管(MP2)的源极与电源(VDD)连接，漏极与所述第二电阻(R2)的一端连接，所述第二电阻(R2)的另一端连接所述第三双极型晶体管(Q3)发射极；所述第三P沟道场效应管(MP3)的源极与电源(VDD)连接，漏极为开路，以输出正温度系数的电流。

2.根据权利要求1所述的同时产生多种温度特性参考电流的带隙基准参考源电路，其特征在于，所述第四P沟道场效应管(MP4)的源极接电源(VDD)，栅极和漏极短接，所述第四P沟道场效应管(MP4)的漏极与所述第三N沟道场效应管(MN3)的漏极连接，所述第三N沟道场效应管(MN3)的源极与所述第三电阻(R3)的一端连接，所述第三电阻(R3)的另一端接地；所述第五P沟道场效应管(MP5)的源极接电源(VDD)，栅极分别与所述第四P沟道场效应管(MP4)、所述第六P沟道场效应管(MP6)的栅极连接，所述第五P沟道场效应管(MP5)的漏极为开路，以输出负温度系数的电流。

3.根据权利要求1所述的同时产生多种温度特性参考电流的带隙基准参考源电路，其特征在于，所述第六P沟道场效应管(MP6)、第七P沟道场效应管(MP7)的源极分别与电源(VDD)连接，所述第六P沟道场效应管(MP6)的漏极与所述第七P沟道场效应管(MP7)的漏极连接，用于输出零温度系数的电流。

4.根据权利要求1所述的同时产生多种温度特性参考电流的带隙基准参考源电路，其特征在于，通过设置所述第一P沟道场效应管(MP1)、第二P沟道场效应管(MP2)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的大小，在所述第二电阻(R2)连接所述第二P沟道场效应管(MP2)漏极的一端能够输出零温度系数的电压。

5.根据权利要求1所述的同时产生多种温度特性参考电流的带隙基准参考源电路，其特征在于，所述第一双极型晶体管(Q1)、第二双极型晶体管(Q2)和第三双极型晶体管(Q3)的基极和集电极分别接地。

6.根据权利要求1所述的同时产生多种温度特性参考电流的带隙基准参考源电路，其特征在于，所述第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和第三电阻(R3)为同种类型的电阻。

7.根据权利要求4所述的同时产生多种温度特性参考电流的带隙基准参考源电路，其特征在于，通过设置所述第一电阻(R1)和所述第三电阻(R3)的阻值，使得所述第二电流镜中的正温度系数的电流和所述负温度系数的电流按比例相加，以得到所述零温度系数的电流。