[发明专利]计算单元边缘泄露的方法

说明书

一种计算半导体装置中的单元边缘泄露的方法包括：执行装置泄露仿真以获得对于不同单元边缘条件的泄露信息；以及提供与所述半导体装置中的单元边缘相关联的属性。所述方法进一步包括：执行分析来识别所述半导体装置中所存在的单元邻接情形；以及至少部分地基于与所述单元邻接情形相关联的机率以及从所述装置泄露仿真获得的仿真泄露值来计算所述半导体装置的泄露。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置且更具体来说涉及计算相邻半导体单元之间的边缘泄露(edge leakage)的系统及方法。

背景技术

半导体装置可包括排列成预定图案的若干晶体管单元。举例来说，在场效晶体管(field effect transistor，FET)装置的情形中，可在衬底上制作若干源极/漏极对且可在所述源极/漏极对之上形成对应的栅极电极。在运作中，相邻单元可能在单元边缘处发生泄露电流。因此，可将相邻单元分离开以降低半导体装置内的泄露的总体效应。然而，将相邻单元分离开会致使半导体装置的设计面积增大。

发明内容

本发明实施例的计算半导体装置中的单元边缘泄露的方法包括下列步骤。执行装置泄露仿真以获得对于不同单元边缘条件的泄露信息。提供与所述半导体装置中的单元边缘相关联的属性。执行分析来识别所述半导体装置中所存在的单元邻接情形。至少部分地基于与所述单元邻接情形相关联的机率以及从所述装置泄露仿真获得的仿真泄露值来计算所述半导体装置的泄露。

本发明实施例的计算半导体装置中的单元边缘泄露的系统包括库、输入端、处理器以及输出端。库含有与不同单元边缘条件的泄露信息有关的装置泄露仿真结果。输入端用于获得与半导体装置中的单元边缘相关联的属性。处理器被配置成执行分析来识别所述半导体装置中所存在的单元邻接情形；以及至少部分地基于与所述单元邻接情形相关联的机率以及从所述装置泄露仿真获得的仿真泄露值来计算所述半导体装置的泄露。输出端用于输出所述半导体装置中的单元边缘泄露。

本发明实施例的设计半导体装置的方法包括下列步骤。计算半导体装置的单元边缘泄露，以获得对所述半导体装置中的所述泄露的比依赖最差情形情景时更精确的评估。至少部分地基于计算出的所述单元边缘泄露来设计所述半导体装置的布局。计算所述半导体装置的所述单元边缘泄露包括下列子步骤。执行装置泄露仿真以获得对于不同单元边缘条件的泄露信息。提供与所述半导体装置中的单元边缘相关联的属性。执行分析来识别所述半导体装置中所存在的单元邻接情形。至少部分地基于与所述单元邻接情形相关联的机率以及从所述装置泄露仿真获得的仿真泄露值来计算所述半导体装置的泄露。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A是说明根据一些实施例的P型金属氧化物半导体(p-type metal oxidesemiconductor，PMOS)单元邻接情景的实例的示意图。

图1B是说明根据一些实施例的N型金属氧化物半导体(p-type metal oxidesemiconductor，NMOS)单元邻接情景的实例的示意图。

图2是说明根据一些实施例的单元邻接分析系统的实例的示意图。

图3是说明根据一些实施例的计算单元邻接泄露的方法的流程图。

图4是说明根据一些实施例的执行单元边缘特征化(cell edgecharacterization)的方法的示意图。

图5是说明根据一些实施例的执行设计邻接分析的方法的示意图。

图6是说明根据一些实施例的单元邻接泄露计算的实例的表。

[符号的说明]

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