[发明专利]薄膜电阻元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710749774.8 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN107895758A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 温文莹;赵基宏;蔡政原 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 王涛,汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 电阻 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜电阻元件，其特征在于，包括：
一半导体基板；
一导电层，位于该半导体基板上；
一介电层，位于该导电层上，其中该介电层包括一开口；以及
一薄膜电阻层，位于该导电层上；
其中该薄膜电阻层的一背表面与该导电层的一部分的上表面直接接触且连续覆盖一均匀厚度于该开口的底部及侧壁并延伸至该介电层的上表面；
其中薄膜电阻元件具有一预期电阻值由该薄膜电阻层覆盖该介电层的上表面长度决定。
2.如权利要求1所述的薄膜电阻元件，其特征在于，该导电层包括一金属层。
3.如权利要求1所述的薄膜电阻元件，其特征在于，该导电层包括一多晶硅层或一金属硅化物/多晶硅层。
4.如权利要求1所述的薄膜电阻元件，其特征在于，该介电层的材料包括一氟硅玻璃、磷-硅玻璃、硼-硅玻璃、硼掺杂磷-硅玻璃、四乙氧基硅烷或该多个材料的组合。
5.一种薄膜电阻元件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一半导体基板；
形成一导电层于该半导体基板上；
形成一介电层于该导电层上；
形成一开口于该介电层中以露出该导电层的一部分上表面；以及
形成一均匀厚度的薄膜电阻层于该导电层上；
其中该薄膜电阻层的一背表面与该导电层一部分上表面直接接触且连续覆盖该开口的底部及侧壁并延伸至该介电层的上表面；
其中薄膜电阻元件具有一预期电阻值由该薄膜电阻层覆盖该介电层的上表面长度决定。
6.如权利要求5所述的薄膜电阻元件的制造方法，其特征在于，该导电层包括一金属层。
7.如权利要求5所述的薄膜电阻元件的制造方法，其特征在于，该导电层包括一多晶硅层或一金属硅化物/多晶硅层。
8.如权利要求5所述的薄膜电阻元件的制造方法，其特征在于，该介电层的材料包括一氟硅玻璃、磷-硅玻璃、硼-硅玻璃、硼掺杂磷-硅玻璃、四乙氧基硅烷或该多个材料的组合。
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