[发明专利]一种晶圆检测方法

说明书

本发明提供了一种晶圆检测方法，应用于晶圆的缺陷检测，其中，包括判断晶圆中当前站点对应的检测区域的类型；若为第一检测区域，先判断第一区域否已检测完毕，若是则退出，如否则对第一区域执行检测以获得一第一缺陷检测结果并判断第一缺陷检测结果是否大于一第一预设值；若是，则记录当前晶圆为不合格，若为第二检测区域，判断第二检测区域是否检测完毕，若第二检测区域已检测完毕，则退出；若第二检测区域未检测完毕，对第二检测区域进行检测以获得第二缺陷检测结果；并判断第二缺陷检测结果是否大于一第二预设值；若是，记录当前晶圆为不合格，若否，晶圆不合格并退出。其有益效果在于提高了检测效率，节省了检测时间。

技术领域

本发明涉及半导体检测领域，尤其涉及一种晶圆检测方法。

背景技术

现阶段闪存器件在半导体晶圆中占据着较大的比重，存储器件的结构中包括存储区域和逻辑区域，其中存储区域分布较广，占据整个晶圆内部结构较大的比例，其余相对较小的区域为逻辑区域，相比较存储区域而言，逻辑区域结构简单，缺陷较少。因此在在对存储器件的晶圆缺陷进行检测时，存储区域作为重点的检测区域会做强化扫描，而逻辑区域则相对会用一般的缺陷检测模式进行检测。现有的检测方式存在以下的问题，如在对存储区域或者逻辑区域执行检测，当其缺陷超过标准值时，则需要重新对存储器件中的存储区域和逻辑区域进行再一次扫描以分析逻辑区域的缺陷，因此存在着检测时间耗时较长，影响检测效率的问题。

发明内容

针对现有技术中检测晶圆不同的检测区域存在的上述问题，现提供一种旨在实现自动判断检测区域的类型，在不同的检测区域之间可实现切换检测，提高检测效率，节省检测时间的晶圆检测方法。

具体技术方案如下：

一种晶圆检测方法，应用于晶圆的缺陷检测，其中，

提供一晶圆，晶圆的检测区域的类型包括一第一检测区域和一第二检测区域；提供一检测机台，用以获取晶圆于制程工艺中的站点，并根据站点形成对应的检测指令；

所述检测机台根据所述检测指令对晶圆执行检测操作；所述晶圆检测方法包括以下步骤：

步骤S1、判断晶圆中当前站点对应的检测区域的类型；

若为所述第一检测区域，则执行步骤S2；

若为第二检测区域，则执行步骤S5；

步骤S2、判断所述第一区域是否已检测完毕；

若是，则退出；

如否，则执行步骤S3；

步骤S3、对所述第一次检测区域进行检测以获得一第一缺陷检测结果；

步骤S4、判断所述第一缺陷检测结果是否大于一第一预设值；

若是，则记录当前晶圆为不合格，并判断所述第二检测区域是否检测完毕

若所述第二检测区域已检测完毕，则退出；

若所述第二检测区域未检测完毕，执行步骤S5；

若否，晶圆不合格并退出；

步骤S5、对所述第二检测区域进行检测以获得第二缺陷检测结果；

步骤S6、判断所述第二缺陷检测结果是否大于一第二预设值；

若是，记录当前晶圆为不合格，并返回步骤S2；

若否，晶圆退出。

优选的，所述第一检测区域为晶圆的存储区，以及

所述第二检测区域为晶圆的逻辑区。

优选的，所述第一检测区域为晶圆的逻辑区，以及