[发明专利]存储器单元、形成存储器单元及制作集成电路的方法

说明书

本申请案涉及存储器单元、形成双晶体管单电容器存储器单元阵列的方法及用于制作集成电路的方法。存储器单元包括相对于彼此横向位移的第一晶体管及第二晶体管。电容器位于所述第一晶体管及所述第二晶体管上方。所述电容器包括：容器状第一导电电容器节点，其与所述第一晶体管的第一电流节点电耦合；第二导电电容器节点，其与所述第二晶体管的第一电流节点电耦合；及电容器电介质材料，其位于所述第一电容器节点与所述第二电容器节点之间。所述电容器电介质材料跨越所述容器状第一电容器节点的顶部延伸。本发明揭示额外实施例及方面，包含方法。

技术领域

本文中所揭示的实施例涉及存储器单元、形成存储器单元的方法及用于制作集成电路的方法。

背景技术

动态随机存取存储器(DRAM)用于现代计算架构中。与其它类型的存储器相比，DRAM可提供结构简化、低成本及速度优势。

目前，DRAM通常具有组合有一个电容器与一个场效应晶体管的个别存储器单元(所谓的1T-1C存储器单元)，其中所述电容器与所述晶体管的源极/漏极区中的一者耦合。目前1T-1C配置的可缩放性的限制因素之一是很难将具有足够高电容的电容器并入到高度集成的架构中。因此，期望开发出适合于并入到高度集成的现代存储器架构中的新存储器单元配置。

虽然本发明的目标是与除1T-1C存储器单元之外的存储器单元相关联的架构及方法，但本发明的一些方面绝不限于此且可适用于任何存储器单元及用于制作任何集成电路的方法。

发明内容

在一些实施例中，存储器单元包括相对于彼此横向位移的第一晶体管及第二晶体管。电容器位于第一晶体管及第二晶体管上方。所述电容器包括：容器状第一导电电容器节点，其与第一晶体管的第一电流节点电耦合；第二导电电容器节点，其与第二晶体管的第一电流节点的电耦合；及电容器电介质材料，其位于第一电容器节点与第二电容器节点之间。所述电容器电介质材料跨越容器状第一电容器节点的顶部延伸。

在一些实施例中，存储器单元包括相对于彼此横向位移的第一晶体管及第二晶体管。电容器位于第一晶体管及第二晶体管上方。所述电容器包括：第一导电电容器节点，其与第一晶体管的第一电流节点电耦合；第二导电电容器节点，其与第二晶体管的第一电流节点电耦合；及电容器电介质材料，其位于第一电容器节点与第二电容器节点之间。所述第二电容器节点直接抵靠位于第一电容器节点与第二电容器节点之间的电容器电介质材料的顶部。

在一些实施例中，双晶体管单电容器存储器单元包括相对于彼此横向位移的第一晶体管及第二晶体管。电容器位于第一晶体管及第二晶体管上方。所述电容器包括：第一导电电容器节点，其直接位于第一晶体管的第一电流节点上方且与所述第一电流节点电耦合；第二导电电容器节点，其直接位于第一晶体管及第二晶体管上方且与第二晶体管的第一电流节点电耦合；及电容器电介质材料，其位于第一电容器节点与第二电容器节点之间。所述第二电容器节点包括直接位于第二晶体管的第一电流节点上方的竖直延伸的导电柱。所述导电柱具有水平横截面呈沙漏形状的竖直外部分。

在一些实施例中，用于制作集成电路的方法包括形成多行行间交错的柱开口。在所述柱开口中的个别者中形成柱。所述柱相对于其中形成有柱开口的材料的上部表面而竖直向外突出。在所述个别柱周围圆周地形成掩蔽材料环。所述环形成个别掩模开口，所述掩模开口是由位于紧邻行中且与紧邻柱开口行内交错并位于紧邻柱开口之间的四个紧紧环绕的环界定。当穿过掩模开口蚀刻其中形成有柱开口的材料以形成与紧邻柱开口行内交错且位于紧邻柱开口之间的个别通孔开口时，将所述环及柱用作掩模。在个别通孔开口中形成导电材料，所述导电材料与形成于紧紧环绕个别通孔开口的四个柱开口中的一者中的操作电路组件直接电耦合。