[发明专利]涂层的制造方法及涂层装置有效

专利信息
申请号: 201710752941.4 申请日: 2017-08-28
公开(公告)号: CN107723781B 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 李忠盛;陈海涛;何庆兵;吴护林;易同斌;李立 申请(专利权)人: 中国兵器工业第五九研究所
主分类号: C25D15/00 分类号: C25D15/00;C25D9/06;C25D5/18
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 梁斌
地址: 400000 *** 国省代码: 重庆;50
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 涂层 制造 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种涂层的制造方法,其特征在于,所述方法包括:

获得包括SiO2颗粒的电解反应液;所述获得包括SiO2颗粒的电解反应液,包括:配置以KOH、Na2SiO3、(NaPO3)6以及Na2WO4组成的去离子水电解液,添加包含SiO2颗粒的碱性硅溶液和蔗糖到所述去离子水电解液中以获得所述包括SiO2颗粒的电解反应液;

将第一合金元件浸入盛放有所述电解反应液的电解槽内;

将所述第一合金元件连接于高压直流脉冲电源的阳极,将所述电解槽连接于所述高压直流脉冲电源的阴极;

同时加入正、负向电压,以在所述第一合金元件表面生成复合陶瓷涂层,获得第二合金元件。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述同时加入正、负向电压,以在所述第一合金元件表面生成复合陶瓷涂层,获得第二合金元件之后,还包括:

采用去离子水或蒸馏水对所述第二合金元件进行清洗和吹干。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将第一合金元件浸入盛放有所述电解反应液的电解槽内之前,还包括:

采用超声波技术对所述第一合金元件的表面进行去杂质处理,获得第三合金元件,将所述第三合金元件浸入由H3PO4与Al(OH)3反应得到磷酸二氢铝溶胶的水溶液处理液中以除去所述第三合金元件表面的氧化皮,获得第四合金元件;

将所述第四合金元件用去离子水清洗,并浸入NaOH溶液进行表面碱洗和钝化,得到第五合金元件。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述配置以KOH、Na2SiO3、(NaPO3)6以及Na2WO4组成的去离子水电解液,添加包含SiO2颗粒的碱性硅溶液和蔗糖到所述去离子水电解液中以获得所述包括SiO2颗粒的电解反应液,包括:

按重量份计,将3~6份KOH、10~15份Na2SiO3、6~10份(NaPO3)6以及8~12份Na2WO4和去离子水混合,获得去离子水电解液,添加80~150份的包含SiO2颗粒的碱性硅溶液和60~80份蔗糖到所述去离子水电解液中并搅拌以获得所述包括SiO2颗粒的电解反应液。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述同时加入正、负向电压,以在所述第一合金元件表面生成复合陶瓷涂层,包括:

同时加入正、负向电压,以在所述第一合金元件表面生成复合陶瓷涂层,其中,电流密度为5~8A/dm2,频率为800~1200Hz,正脉冲的脉宽为20%~50%,正负脉冲比为1:1、1:2或2:1,正负电压比为3:1,处理时间为30~100min。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述碱性硅溶液的pH值为9~10。

7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述将所述第三合金元件浸入由H3PO4与Al(OH)3反应得到磷酸二氢铝溶胶的水溶液处理液中,包括:

将所述第三合金元件浸入由H3PO4与Al(OH)3反应得到磷酸二氢铝溶胶的水溶液处理液中2~3min。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国兵器工业第五九研究所,未经中国兵器工业第五九研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710752941.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top