[发明专利]像素驱动电路及有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201710754098.3 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN107393479B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 陈小龙 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3233 | 分类号: | G09G3/3233 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 驱动 电路 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:复位模块、阈值电压补偿模块、发光驱动模块以及有机发光二极管;
所述复位模块用于在复位阶段根据处于高电位的第一扫描信号、处于低电位的第二扫描信号、处于高电位的第三扫描信号以及处于低电位的第四扫描信号进行电位复位;
所述阈值电压补偿模块用于在阈值电压补偿阶段根据处于高电位的第一扫描信号、处于高电位的第二扫描信号、处于低电位的第三扫描信号以及处于低电位的第四扫描信号进行阈值电压补偿;
所述发光驱动模块用于在发光驱动阶段根据处于低电位的第一扫描信号、处于低电位的第二扫描信号、处于高电位的第三扫描信号以及处于高电位的第四扫描信号对所述有机发光二极管进行驱动,以使所述有机发光二极管发光;
其中,驱动所述有机发光二极管发光的电流与所述发光驱动模块的阈值电压无关;
所述复位模块包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管和电容器;
所述第一薄膜晶体管的栅极连接于第一节点,且其源极连接于第二节点,且其漏极连接到所述第二薄膜晶体管的源极;
所述第二薄膜晶体管的栅极用于接收第一扫描信号,且其漏极连接到所述第一节点;
所述第四薄膜晶体管的栅极用于接收第三扫描信号,且其源极连接到所述有机发光二极管的阴极,且其漏极连接到所述第二薄膜晶体管的源极;
所述第五薄膜晶体管的栅极用于接收第一扫描信号,且其源极连接到所述有机发光二极管的阳极并用于接收电源正极电压,且其漏极连接到所述有机发光二极管的阴极;
所述电容器的一端电性连接于第一节点,且其另一端连接到所述有机发光二极管的阳极。
2.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述阈值电压补偿模块包括:所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管和所述电容器;
所述第三薄膜晶体管的栅极用于接收第二扫描信号,且其源极用于接收数据信号,且其漏极连接到所述第二节点。
3.根据权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,所述发光驱动模块包括:所述第一薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、第六薄膜晶体管和所述电容器;
所述第六薄膜晶体管的栅极用于接收第四扫描信号,且其源极连接到所述第二节点,且其漏极用于接收电源负极电压。
4.根据权利要求3所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管至所述第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。
5.根据权利要求3或4所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管至所述第六薄膜晶体管均为NMOS晶体管。
6.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、电容器和有机发光二极管;
所述第一薄膜晶体管的栅极连接于第一节点,且其源极连接于第二节点,且其漏极连接到所述第二薄膜晶体管的源极;
所述第二薄膜晶体管的栅极用于接收第一扫描信号,且其漏极连接到所述第一节点;
所述第三薄膜晶体管的栅极用于接收第二扫描信号,且其源极用于接收数据信号,且其漏极连接到所述第二节点;
所述第四薄膜晶体管的栅极用于接收第三扫描信号,且其源极连接到所述有机发光二极管的阴极,且其漏极连接到所述第二薄膜晶体管的源极;
所述第五薄膜晶体管的栅极用于接收第一扫描信号,且其源极连接到所述有机发光二极管的阳极并用于接收电源正极电压,且其漏极连接到所述有机发光二极管的阴极;
所述第六薄膜晶体管的栅极用于接收第四扫描信号,且其源极连接到所述第二节点,且其漏极用于接收电源负极电压;
所述电容器的一端电性连接于第一节点,且其另一端连接到所述有机发光二极管的阳极。
7.根据权利要求6所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管至所述第六薄膜晶体管均为NMOS晶体管。
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