[发明专利]一种混合AMC棋盘形结构加载的SIW背腔缝隙天线

权利要求书

1.一种混合AMC棋盘形结构加载的SIW背腔缝隙天线，其特征在于，包括上层介质基板(1)、下层介质基板(2)、人工磁导体AMC周期表面(3、4)、缝隙激励贴片(5)、激励探针(6)、中间层金属贴片(7)、底层金属贴片(8)、基片集成波导SIW方形谐振腔的金属过孔(9)、探针接头(10)、位于中间层金属贴片(7)上的圆形过孔(11)、辐射缝隙(12)和位于底层金属贴片(8)的圆形过孔(13)；

所述上层介质基板(1)位于AMC周期表面(3、4)和中间层金属贴片(7)之间；所述下层介质基板(2)位于中间层金属贴片(7)和底层金属贴片(8)之间；所述缝隙激励贴片(5)位于上层介质基板(1)的上表面；所述激励探针(6)穿过位于中间层金属贴片(7)的圆形过孔(11)和位于底层金属贴片(8)的圆形过孔(13)分别连接探针接头(10)和激励贴片(5)；所述中间层金属贴片(7)为十字形状；SIW方形谐振腔由位于辐射缝隙(12)的下方的金属过孔(9)和部分中间层金属贴片(7)以及部分底层金属贴片(8)组成；所述探针接头(10)位于底层金属贴片(8)的下表面，为SMA同轴接头；所述辐射缝隙(12)由中间层金属贴片(7)部分蚀刻而成。

2.根据权利要求1所述的混合AMC棋盘形结构加载的SIW背腔缝隙天线，其特征在于，通过探针接头(10)馈电；激励信号通过激励探针(6)过渡到缝隙激励贴片(5)上，激励起SIW方形谐振腔的主模TE₁₁₀模式，SIW腔体的反射作用使得辐射缝隙(12)向上辐射电磁能量。

3.根据权利要求1所述的混合AMC棋盘形结构加载的SIW背腔缝隙天线，其特征在于，天线的散射特性控制由包括四个位于四角的AMC周期表面(3)和四个位于四边中点处的AMC周期表面(4)实现；AMC周期表面(3、4)中的AMC单元周期性地以棋盘形分布在SIW方形谐振腔周围；AMC周期表面(3、4)和缝隙辐射天线的馈电结构组成了一个棋盘形状，缝隙天线的馈电结构位于棋盘形的中心。