[发明专利]用于处理基板的装置和方法在审
申请号: | 201710755167.2 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN107799437A | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 崔荣;权庆兰;李正悦;朴珉贞 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 赵丹,赵莎 |
地址: | 韩国忠淸南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 装置 方法 | ||
1.一种用于处理基板的装置,其特征在于,所述装置包括:
索引模块;
工艺执行模块;和
控制器,
其中所述索引模块包括:
装载端口,容纳基板的容器位于所述装载端口上;和
传输框架,所述传输框架设置有索引机械手,所述索引机械手配置为在所述容器和所述工艺执行模块之间传送所述基板,
其中所述工艺执行模块包括:
多个工艺腔室;和
传输腔室,所述传输腔室设置有主机械手,所述主机械手配置为在各所述工艺腔室之间传送基板,
其中所述控制器控制所述工艺执行模块顺序地执行以下工艺:通过将第一涂覆液提供到具有图案的基板上来形成第一涂层的第一涂覆工艺;通过向所述基板提供化学品来去除位于所述图案上表面的所述第一涂层而使得所述图案的上表面露出的刻蚀工艺;以及,通过将第二涂覆液提供到所述基板上而形成第二涂层的第二涂覆工艺,并且
其中所述工艺腔室包括:
第一腔室,所述第一腔室配置为执行所述第一涂覆工艺;和
第二腔室,所述第二腔室配置为执行所述第二涂覆工艺。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述刻蚀工艺在所述第一腔室或所述第二腔室中的一个中执行。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述工艺腔室还包括:
烘烤腔室,所述烘烤腔室配置为执行对所述基板进行热处理的热处理工艺。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述控制器控制所述工艺执行模块在所述第一涂覆工艺和所述刻蚀工艺之间以及在所述第二涂覆工艺之后执行所述热处理工艺。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述第一腔室和所述第二腔室彼此堆叠。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,多个第一腔室和多个第二腔室沿第一方向布置,
其中,设置多个烘烤腔室,并且一些烘烤腔室位于所述第一腔室的第二方向上并沿着第一方向布置,其余烘烤腔室位于所述第二腔室的第二方向上并沿着第一方向布置,
其中,所述传输腔室位于所述一些烘烤腔室和所述第一腔室之间以及所述其余烘烤腔室和所述第二腔室之间,并且
其中,当从顶部观察时,所述第一方向和所述第二方向彼此垂直。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的装置,其特征在于,所述第一涂覆液和所述第二涂覆液提供为光致抗蚀剂PR或旋涂硬SOH掩模液。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述化学品包括稀释剂。
9.一种用于处理基板的装置,其特征在于,所述装置包括:
索引模块;和
工艺执行模块,
其中所述索引模块包括:
装载端口,容纳基板的容器位于所述装载端口上;和
传输框架,所述传输框架设置有索引机械手,所述索引机械手配置为在所述容器和所述工艺执行模块之间传送所述基板,
其中所述工艺执行模块包括:
第一腔室,所述第一腔室具有第一涂覆单元,所述第一涂覆单元配置为执行通过将第一涂覆液提供到具有图案的基板上来形成第一涂层的第一涂覆工艺;
刻蚀单元,所述刻蚀单元配置为执行通过向所述基板提供化学品来去除位于所述图案上表面的所述第一涂层而使得所述图案的上表面露出的刻蚀工艺;
第二腔室,所述第二腔室具有第二涂覆单元,所述第二涂覆单元配置为执行通过将第二涂覆液提供到所述基板上来形成第二涂层的第二涂覆工艺;和
传输腔室,所述传输腔室设置有主机械手,所述主机械手配置为在所述第一腔室和所述第二腔室之间传送所述基板。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述刻蚀单元设置在所述第一腔室中。
11.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述刻蚀单元设置在所述第二腔室中。
12.根据权利要求10或11所述的装置,其特征在于,所述工艺执行模块还包括:
烘烤腔室,所述烘烤腔室配置为执行对所述基板进行热处理的热处理工艺,和
其中,所述主机械手在所述第一腔室、所述第二腔室和所述烘烤腔室中的任意两个之间传送所述基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造