[发明专利]一种有机薄膜超级电容复合介质生产工艺在审
| 申请号： | 201710755591.7 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107706002A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 张继保 | 申请（专利权）人： | 浙江长兴鑫启元电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/84 | 分类号： | H01G11/84;H01G11/86 |
| 代理公司： | 杭州丰禾专利事务所有限公司33214 | 代理人： | 林伟鑫 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机 薄膜 超级 电容 复合 介质 生产工艺 | ||
1.一种有机薄膜超级电容复合介质生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)、真空镀膜：在有机薄膜的表面通过真空镀膜的方法喷镀一种高介电常数材料，形成复合介质层；
(2)、真空蒸镀：步骤(1)得到的有机薄膜通过真空蒸镀方式在表面形成一层金属铝膜作为电极。
2.根据权利要求1所述的一种有机薄膜超级电容复合介质生产工艺，其特征在于，所述的高介电常数材料为钛、钛氧化物、氧化锆、氧化銣、氧化钒以及钛酸钡、锶的一种或多种，所述高介电常数材料的目数不大于100纳米。
3.根据权利要求1或2所述的一种有机薄膜超级电容复合介质生产工艺，其特征在于，所述步骤(1)中真空镀膜的采用分子束镀膜，具体操作步骤为：将高介电常数材料通过分子束外延装置，在超真空、温度100-300℃条件下将高介电常数材料以束状分子流射向有机薄膜表面以形成100nm-500nm的复合介质层。
4.根据权利要求1或2所述的一种有机薄膜超级电容复合介质生产工艺，其特征在于，所述步骤(1)中真空镀膜的采用磁控镀膜，具体操作步骤为：将高介电常数材料在1000-1500℃温度条件下模压烧结成块，在超真空和100-300℃温度条件下通过高频溅射方式将高介电常数材料沉积在有机薄膜表面上，以形成100nm-500nm的复合介质层。
5.根据权利要求1或2所述的一种有机薄膜超级电容复合介质生产工艺，其特征在于，所述步骤(2)中真空蒸镀的具体操作步骤为：将真空镀膜好的有机薄膜在超真空和100-300℃条件下通过电阻蒸发镀膜方式将金属铝均匀蒸镀于有机薄膜表面上以形成电极。
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