[发明专利]有机发光显示装置以及制造有机发光显示装置的方法有效
申请号: | 201710755790.8 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN107799560B | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 崔浩源;沈成斌;池文培 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/77 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;李彦丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
基板,所述基板具有用于多个子像素的电路;
绝缘膜,所述绝缘膜被布置在所述基板上,其中:
所述绝缘膜包括多个凹部和多个平坦表面,每个凹部具有底表面,每个平坦表面被定位为与所述多个凹部中的对应凹部相邻,包括凹部和平坦表面的对与所述多个子像素中的每个子像素相对应,以及
其中,所述多个凹部包括具有第一深度的第一凹部和具有第二深度的第二凹部,所述第二深度大于所述第一深度;
第一电极,所述第一电极被布置在所述多个子像素中的每个子像素中的每个凹部的底表面上;
有机膜,所述有机膜被布置在所述绝缘膜上以及每个凹部中布置的所述第一电极上,所述有机膜包括有机发光层;
第二电极,所述第二电极被布置在所述有机膜上;以及
滤色器,所述滤色器被布置在所述第二电极上,每个滤色器填充所述多个凹部中的与所述多个子像素中的每个子像素对应的凹部。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,在所述多个子像素中的相邻子像素中,所述滤色器在其侧向部分处彼此接触,并且其中,所述滤色器具有相同的平坦顶表面。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,还包括:
第一保护层,所述第一保护层被布置在每个滤色器的顶表面上。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,每个凹部由相邻的平坦表面包围,并且每个第一电极仅被布置在每个凹部的底表面上。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,还包括:
第二保护层,所述第二保护层被布置在所述第二电极与所述滤色器之间。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,每个凹部具有侧壁,所述侧壁具有朝向所述底表面的正锥形形状。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置,其中,所述有机膜、所述第二电极和所述第二保护层沿着所述绝缘膜的平坦表面以及每个凹部的侧壁和底表面来形成,所述有机膜、所述第二电极和所述第二保护层中的每一个具有均匀厚度。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述有机膜被构造成发射白光。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,还包括:
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管被布置成与所述基板的所述多个子像素中的每个子像素相对应,
其中,所述绝缘膜还包括在每个凹部的底表面下方形成以暴露所述薄膜晶体管的一部分的接触孔。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,每个凹部的底表面定位成使得从所述绝缘膜的顶表面到所述凹部的底表面的厚度是所述绝缘膜的整个厚度的一部分。
11.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,被布置在每个凹部中的所述第二保护层的部分被形成为低于所述绝缘膜的顶表面。
12.一种制造有机发光显示装置的方法,包括:
准备具有多个子像素的基板;
在所述基板上形成绝缘膜;
在所述绝缘膜中形成多个凹部,每个凹部具有底表面,并且通过侧壁和所述绝缘膜的上表面与每个相邻凹部的底表面分隔开,其中,所述多个凹部包括具有第一深度的第一凹部和具有第二深度的第二凹部,所述第二深度大于所述第一深度;
在每个凹部的底表面上形成第一电极;
在每个凹部中形成覆盖所述第一电极的有机膜;
形成覆盖所述有机膜的第二电极;以及
在每个凹部中形成覆盖所述第二电极的滤色器以完全填充每个凹部的任意其余部分。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述绝缘膜的围绕所述凹部的上表面是平坦的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的