[发明专利]发光元件及其制造方法

说明书

本申请涉及发光元件及其制造方法。一种制造发光元件的方法，其包括：形成包含n型覆层和作为主要组分的Al_xGa_1‑xN(0.1≤x≤1)的n型半导体层；形成包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层与所述n型半导体层接触；以及通过热处理形成所述n型半导体层和所述Ti层的欧姆接触。

本申请基于在2016年9月21日提交的日本专利申请第2016-184867号，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及一种发光元件以及该发光元件的制造方法。

背景技术

已知一种发光元件，在该发光元件中，由Ru形成的反射电极层形成在Al_xGa_1-xN(0≤x≤1)的p型半导体层上(参见例如JP-A-2011-151393)。

由JP-A-2011-151393公开的发光元件可通过有效地反射由发射层发射的朝向发光元件的后表面发射的光而增加通过发光元件的前表面发射的光的量，所述光的发射波长在200nm至495nm的范围内。

此外，已知一种发光元件，在该发光器件中具有Ti/Ru/Au层叠结构的焊盘电极连接至由III-V族化合物半导体形成的p型半导体层(参见例如JP-B-5177227)。

发明内容

在由JP-A-2011-151393公开的发光元件中，由Ru形成的反射电极层直接连接在p型半导体层上。然而，与其他电极材料例如Ti相比，Ru与Al_xGa_1-xN(0≤x≤1)具有高接触电阻。这可导致发光元件的正向电压增加。

如果由JP-B-5177227公开的发光元件是发紫外光的元件，则p型半导体层的Al成分将增加。因此，p型半导体层可能不与简单形成于其上的Ti膜欧姆接触。由于JP-B-5177227没有教导用于形成欧姆接触的任何具体处理，所以只要由JP-B-5177227公开的发光元件是发紫外光的元件，p型半导体层可不与具有Ti/Ru/Au层叠结构的焊盘电极欧姆接触。

本发明的目的是提供一种发光元件以及制造该发光元件的方法，所述发光元件发射紫外光，因发射层的AlGaN层和n侧电极之间的低接触电阻而具有低正向电压，并因n侧电极的高光反射性质而具有高光提取效率。

根据本发明的一个实施方案，提供了由以下[1]至[5]限定的制造发光元件的方法和由以下[6]至[8]限定的发光元件。

[1]一种制造发光元件的方法，包括：

形成包含n型覆层和作为主要组分的Al_xGa_1-xN(0.1≤x≤1)的n型半导体层；

形成包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层接触所述n型半导体层；以及

通过热处理形成所述n型半导体层与所述Ti层的欧姆接触。

[2]根据[1]的方法，其中n型半导体层包含作为主要组分的Al_xGa_1-xN(x≥0.65)。

[3]根据[1]或[2]的方法，其中Ti层的厚度不小于0.5nm且不大于2.5nm。

[4]根据[1]至[3]中任一项的方法，其中Ti层通过使用RF电源溅射而形成。

[5]根据[1]至[4]中任一项的方法，其中Ru层通过在不大于0.4Pa的气压下溅射而形成。

[6]一种发光元件，包括：