[发明专利]具有自对准电容器器件的半导体器件结构

权利要求书

1.一种半导体器件结构，包括：

绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括半导体层、衬底材料以及位于所述半导体层与所述衬底材料之间的掩埋绝缘材料层；

沟槽隔离结构，其位于所述绝缘体上半导体衬底的至少一部分中；

电容器器件，其形成在与所述沟槽隔离结构相邻的第一区域中，

所述电容器器件包括：

第一电极，其包括位于所述掩埋绝缘材料层上方的所述第一区域中的导电层部分，所述导电层部分至少部分地替代所述第一区域中的所述半导体层；

第二电极，其位于所述第一电极的上方；以及

绝缘材料，其形成在所述第一电极与所述第二电极之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述第一电极和所述第二电极由导电材料形成。

3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中所述导电材料包括金属。

4.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中所述第一电极通过位于所述第一电极与所述绝缘材料之间的阻挡材料而与所述绝缘材料隔开。

5.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中所述第二电极通过位于所述第二电极与所述绝缘材料之间的阻挡材料而与所述绝缘材料隔开。

6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，进一步包括通过所述沟槽隔离结构而与所述第一区域隔开的第二区域，所述第二区域包括在所述第二区域中的所述半导体层上设置的栅极电介质材料上形成的栅极结构。

7.根据权利要求6所述的半导体器件结构，进一步包括形成在所述栅极结构的相对侧的源区和漏区。

8.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其中所述源区和漏区包括具有硅化物接触部的升高的源区和漏区。

9.根据权利要求8所述的半导体器件结构，其中所述硅化物接触部包括硅化镍。

10.根据权利要求6所述的半导体器件结构，其中所述栅极电介质材料和所述绝缘材料由相同的材料形成。

11.一种形成半导体器件结构的方法，包括：

提供绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括半导体层、衬底材料以及位于所述半导体层与所述衬底材料之间的掩埋绝缘材料层；

在所述绝缘体上半导体衬底的至少一部分中形成沟槽隔离结构；

在与所述沟槽隔离结构相邻的第一区域上形成绝缘材料；

在所述第一区域中的所述绝缘材料上形成第一导电材料；以及

用第二导电材料替代所述第一区域中的所述半导体层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一和第二导电材料由相同的导电材料形成。

13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

在所述第一区域上形成所述绝缘材料之后并且在形成所述第一导电材料之前，在所述第一区域上沉积虚设电极材料；

从所述第一区域上方部分地去除所述虚设电极材料和所述绝缘材料，以便部分地暴露所述第一区域中的所述半导体层的上表面区域，所述虚设电极材料的剩余部分和所述绝缘材料形成叠层；

使用封装材料覆盖所述叠层，同时使所述上表面部分部分地暴露；

部分地暴露所述叠层的上表面区域；以及

当在所述第一区域中的所述绝缘材料上形成所述第一导电材料时，用所述第一导电材料替代所述叠层的所述虚设电极材料。

14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括用所述第二导电材料替代所述第一区域中的所述半导体层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述半导体层和所述虚设电极材料被同时替代。