[发明专利]基板处理方法有效
申请号: | 201710756122.7 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN107799439B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 日野出大辉;藤井定;武明励 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲;向勇 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 | ||
一种基板处理方法,包括:将基板保持为水平的基板保持工序;将比水的表面张力更低的低表面张力液体供给至被保持为水平的基板的上表面,形成低表面张力液体的液膜的液膜形成工序;在液膜的中央区域形成开口的开口形成工序;通过将开口扩大而将液膜从被保持为水平的基板的上表面排除的液膜排除工序;向设定在开口的外侧的第一着液点,供给比水的表面张力更低的低表面张力液体的低表面张力液体供给工序;向设定在开口的外侧且比第一着液点更远离开口的第二着液点,供给使被保持为水平的基板的上表面疎水化的疏水化剂的疏水化剂供给工序;以及使第一着液点和第二着液点追随开口的扩大而移动的着液点移动的工序。
技术领域
本发明涉及处理基板的基板处理方法。成为处理对象的基板,包括例如半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED(Field Emission Display,场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
在每次处理一张基板的单张式基板处理装置的基板处理中,例如对被旋转夹具保持为大致水平的基板供给药液。然后,向基板供给冲洗液,由此将基板上的药液替换为冲洗液。然后,进行旋转干燥工序以排除基板上的冲洗液。
如图12所示,在基板表面上形成有微细的图案时,在旋转干燥工序中有可能不能去除进入图案(pattern)内部的冲洗液。由此,可能会产生干燥不良。进入图案内部的冲洗液的液面(空气和液体之间的界面)形成在图案的内部。因此,液体表面张力作用在液面和图案之间的接触位置。在该表面张力较大的情况下,容易发生图案的坍塌。水作为典型的冲洗液,表面张力较大。因此,旋转干燥工序中的图案的坍塌不能忽视。
于是可以考虑供给比水的表面张力更低的低表面张力液体即异丙醇 (IsopropylAlcohol:IPA),来将进入到图案内部的水替换为IPA,之后通过去除IPA来使基板的上表面干燥。但是,即使在将进入到图案内部的水替换为IPA的情况下,IPA的表面张力持续作用在图案时等,仍会发生图案的坍塌。因此,必须将IPA从基板的上表面迅速排除。
另一方面,美国专利申请公开第2010/240219号说明书揭示了在基板的表面形成浸润性的低憎水性(疏水性)的保护膜的基板处理。在该基板处理中,因为保护膜降低了图案受到的IPA的表面张力,所以能够防止图案的坍塌。具体而言,在该基板表面处理中,通过向基板表面的旋转中心附近供给硅烷偶联剂,并利用基板旋转产生的离心力,使硅烷偶联剂遍布在基板表面的全部区域,从而形成保护膜。然后,向基板的旋转中心供给IPA,利用基板旋转产生的离心力,使IPA遍布在基板的表面全部领域,从而用IPA替换基板表面上残留着的硅烷偶联剂。
在美国专利申请公开第2010/240219号说明书中记载的基板表面处理中,向基板表面供给的硅烷偶联剂在被IPA替换之前的期间劣化,基板表面的疏水性有可能会下降。这样,就有可能不能充分地降低图案受到的IPA的表面张力。
发明内容
因此,本发明的一个目的是,提供基板处理方法,该方法能够用低表面张力液体迅速地替换供给到基板上表面的疏水化剂,并且,能够迅速排除基板上表面的低表面张力液体。
本发明提供的基板处理方法,包括:将基板保持为水平的基板保持工序;将比水的表面张力更低的低表面张力液体供给至被保持为水平的前述基板的上表面形成前述低表面张力液体的液膜的液膜形成工序;在前述液膜的中央区域形成开口的开口形成工序;通过将前述开口扩大而将前述液膜从被保持为水平的前述基板的上表面排除的液膜排除工序;向设定在前述开口的外侧的第一着液点供给比水的表面张力更低的低表面张力液体的低表面张力液体供给工序;向设定在前述开口的外侧并且比前述第一着液点更远离前述开口的第二着液点供给使被保持为水平的前述基板的上表面疎水化的疏水化剂的疏水化剂供给工序;和使前述第一着液点和前述第二着液点追随前述开口的扩大而移动的着液点移动工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造