[发明专利]适用于TDDB的原位侦测热点方法有效
| 申请号： | 201710757942.8 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107576895B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 吴奇伟;尹彬锋;王炯 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 适用于 tddb 原位 侦测 热点 方法 | ||
1.一种适用于TDDB的原位侦测热点方法，其特征在于，包括：
提供待测样品，对所述待测样品的电性参数进行验证；
定义应力条件及侦测热点的初始应力条件；
对所述待测样品施加应力；
观测中间数据，若所述待测样品达到侦测热点的初始应力条件，施加热点侦测电压侦测热点；
若侦测到热点，则进行失效分析或继续TDDB测试；
对所述待测样品施加电压时，由高电压降至低电压进行热点侦测；
选择的最大热点侦测电压对所述待测样品失效时间的影响不超过器件失效时间的1％；
于侦测热点机台中完成应力及侦测热点测试，且根据是否满足侦测热点的初始应力条件切换施加于待测样品上的应力电压和侦测热点电压。
2.如权利要求1所述的适用于TDDB的原位侦测热点方法，其特征在于，对所述待测样品施加的应力包括电压、温度。
3.如权利要求1所述的适用于TDDB的原位侦测热点方法，其特征在于，若所述待测样品达到侦测热点的初始应力条件，停止TDDB应力测试。
4.如权利要求1所述的适用于TDDB的原位侦测热点方法，其特征在于，若所述待测样品的电性参数不满足验证条件，则不进行TDDB测试。
5.如权利要求1所述的适用于TDDB的原位侦测热点方法，其特征在于，所述待测样品为MOS晶体管器件前后道工艺中涉及的电介质。
6.如权利要求1所述的适用于TDDB的原位侦测热点方法，其特征在于，所述待测样品的一端施加应力，另一端连接地端。
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