[发明专利]一种基于频率转换的电容传感器接口电路有效

专利信息
申请号: 201710758437.5 申请日: 2017-08-29
公开(公告)号: CN107395194B 公开(公告)日: 2023-04-25
发明(设计)人: 徐卫林;刘俊昕;孙晓菲;李海鸥;韦保林;龚全熙 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03K5/01
代理公司: 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 代理人: 陈跃琳
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 频率 转换 电容 传感器 接口 电路
【权利要求书】:

1.一种基于频率转换的电容传感器接口电路,其特征在于:由基于电容变化的频率调制电路和频率电压转换电路组成;基于电容变化的频率调制电路的输入端形成整个接口电路的输入端,与被测电容Csen连接;基于电容变化的频率调制电路的输出端连接频率电压转换电路的输入端;频率电压转换电路的输出端形成整个接口电路的输出端Vout;通过基于电容变化的频率调制电路先将被测电容值Csen转换为频率值,再通过频率电压转换电路将频率值转换为电压值;

上述频率电压转换电路由PMOS管PM3~PM7,NMOS管NM6~NM9,反相器INV2~INV3,触发器DFF1~DFF2和电容C1组成;触发器DFF1~DFF2的时钟端CK形成频率电压转换电路的输入端,与基于电容变化的频率调制电路的输出端相连;触发器DFF1的D端和SN端以及触发器DFF2的D端和SN端均与电源VDD相连;触发器DFF1的Q端与NMOS管NM6的栅极连接;NMOS管NM6的漏极、PMOS管PM3的漏极、PMOS管PM4的漏极、PMOS管PM6的栅极、反相器INV2的输入端、以及触发器DFF2的RN端相连;NMOS管NM6的源极与地GND相连;反相器INV2的输出端与PMOS管PM3的栅极连接;PMOS管PM6的源极与PMOS管PM5的漏极相连;PMOS管PM3的源极、PMOS管PM4的源极和PMOS管PM5的源极与电源VDD相连;PMOS管PM4的栅极、反相器INV3的输入端和触发器DFF1的RN端相连后,与外部复位信号RST连接;反相器INV3的输出端连接NMOS管NM7的栅极、NMOS管NM8的栅极和NMOS管NM9的栅极;NMOS管NM8的漏极、触发器DFF2的Q端与PMOS管PM7的栅极连接;PMOS管PM7的源极、NMOS管NM7的漏极和PMOS管PM6的漏极相连;NMOS管NM7的源极、NMOS管NM8的源极、NMOS管NM9的源极、以及电容C1的一端与地GND相连;NMOS管NM9的漏极、PMOS管PM7的漏极、以及电容C1的另一端相连后,形成频率电压转换电路的输出端,即整个接口电路的输出端Vout

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