[发明专利]管理装置、信息处理装置以及管理方法

说明书

本发明涉及管理装置、信息处理装置以及管理方法。延长非易失性存储部的寿命。实施方式的管理装置管理由处理电路对第一存储部以及包括多个页面的非易失性存储部进行的数据的读出和写入。管理装置具备设定存储部、存取处理部以及管理部。设定存储部存储表示关于多个页面中的各个页面执行第一存取处理或者第二存取处理中的哪一个的存取方法。管理部在被设定为第二存取处理的第三页面的品质为基准值以下的情况下，将针对第三页面的存取方法从第二存取处理变更为第一存取处理。

技术领域

本发明的实施方式涉及管理装置、信息处理装置以及管理方法。

背景技术

NAND闪存等非易失性存储器可改写的次数少。因此，具备非易失性存储器的信息处理装置针对非易失性存储器进行损耗平衡控制。例如，信息处理装置管理按页面单位的数据的改写次数，针对在非易失性存储器中包含的多个页面平均地写入数据。由此，信息处理装置能够延长非易失性存储器的寿命。

但是，近年来，开发出被称为存储级存储器的高速的非易失性存储器。存储级存储器除了按页面单位的数据的改写，还能够进行按比页面小的例如字节单位的数据的改写。

但是，存储级存储器在针对某个特定的字节的数据的改写集中的情况下，尽管针对页面内的其它字节的数据的改写少，该页面的改写次数增加。因此，在具备存储级存储器的信息处理装置中，需要以使改写不集中到页面内的特定的字节的方式，针对存储级存储器高效地进行存取。

发明内容

本发明想要解决的课题在于延长非易失性存储部的寿命。

实施方式的管理装置管理由处理电路对第一存储部以及包括多个页面的非易失性存储部进行的数据的读出和写入。所述管理装置具备设定存储部、存取处理部以及管理部。所述设定存储部存储存取方法，该存取方法表示关于所述多个页面中的各个页面，执行针对从所述非易失性存储部传送到所述第一存储部的数据进行写入及读出的第一存取处理或者针对在所述非易失性存储部中存储的数据直接进行写入及读出的第二存取处理中的哪一个。所述存取处理部在针对被设定为所述第一存取处理的第一页面接受到写入或者读出的请求的情况下，执行所述第一存取处理，在针对被设定为所述第二存取处理的第二页面接受到写入或者读出的请求的情况下，执行所述第二存取处理。所述管理部在被设定为所述第二存取处理的第三页面的品质为基准值以下的情况下，将针对所述第三页面的存取方法从所述第二存取处理变更为所述第一存取处理。

根据上述管理装置，能够延长非易失性存储部的寿命。

附图说明

图1是示出第一实施方式的信息处理装置的结构的图。

图2是示出第一实施方式的存储器控制器的结构的图。

图3是示出第一实施方式的变换表格的一个例子的图。

图4是示出第一实施方式的未使用表格的一个例子的图。

图5是示出第一存取处理以及第二存取处理的内容的图。

图6是示出计数器表格的一个例子的图。

图7是示出第一实施方式的管理部的处理的流程图。

图8是示出第一实施方式的设定变更处理的流程图。

图9是示出第一实施方式中的表格的变更例的图。

图10是通过进行了纠错的比特数判断品质的流程图。

图11是示出第二实施方式的管理部的处理的流程图。

图12是示出第三实施方式的非易失性存储部的图。

图13是示出第三实施方式的变换表格的一个例子的图。

图14是示出第三实施方式的未使用表格的一个例子的图。