[发明专利]物理不可复制功能码提供装置及其产生方法

权利要求书

1.一种物理不可复制功能码提供装置，其特征在于，包括：

非易失性存储单元对，该非易失性存储单元对包括第一非易失性存储单元及第二非易失性存储单元，该第一非易失性存储单元提供第一起始电阻值以作为第一起始状态，该第二非易失性存储单元提供第二起始电阻值以作为第二起始状态；

感测电路，耦接至该非易失性存储单元对，该感测电路读取该非易失性存储单元对的两个起始状态，并且通过比较该非易失性存储单元对的该两个起始状态以产生物理不可复制功能码；以及

控制器，耦接至该非易失性存储单元对以及该感测电路，其中若该第一起始电阻值低于该第二起始电阻值，则该控制器进一步对该第一非易失性存储单元进行写入操作，藉以将该第一非易失性存储单元的一电阻值调整为调整后的较低电阻值，并且保持该第二起始电阻值不变，或是，该控制器进一步对该第二非易失性存储单元进行该写入操作，藉以将该第二非易失性存储单元的电阻值调整为调整后的较高电阻值，并且保持该第一起始电阻值不变。

2.根据权利要求1所述的物理不可复制功能码提供装置，其特征在于，该感测电路为感测放大器，其中该感测放大器接收该第一起始电阻值及该第二起始电阻值，并且通过感测该第一及第二起始电阻值的差值以产生该物理不可复制功能码。

3.根据权利要求1所述的物理不可复制功能码提供装置，其特征在于，

该非易失性存储单元为电阻值式随机存取存储单元、电桥式随机存取存储单元或相变化随机存取存储单元。

4.根据权利要求1所述的物理不可复制功能码提供装置，其特征在于，该感测电路包括：

锁存器，耦接至该第一非易失性存储单元及该第二非易失性存储单元，该锁存器通过比较该第一起始电阻值与该第二起始电阻值产生该不可复制功能码，且该锁存器将该不可复制功能码锁存。

5.根据权利要求1所述的物理不可复制功能码提供装置，其特征在于，该感测电路包括：

第一锁存器，存储写入数据；

第二锁存器，耦接至该非易失性存储单元对，该第二锁存器接收该写入数据，并且通过感测该第一起始电阻值及该第二起始电阻值的差值以取得回读数据，其中，

在读取操作模式中，该回读数据被锁存于该第二锁存器，且在写入操作模式中，该第二锁存器比较该回读数据与该写入数据以产生比较结果。

6.根据权利要求5所述的物理不可复制功能码提供装置，其特征在于，该第一非易失性存储单元为电阻值式随机存取存储单元、电桥式随机存取存储单元或相变化随机存取存储单元，且该第二非易失性存储单元为参考电阻。

7.根据权利要求1所述的物理不可复制功能码提供装置，其特征在于，该感测电路包括：

第一晶体管，该第一晶体管具有耦接至电源的第一端、耦接至第一输出端的第二端以及耦接至该第一非易失性存储单元的第一端的控制端；

第二晶体管，该第二晶体管具有耦接至该第一输出端的第一端、耦接至参考地端的第二端以及耦接至该第一非易失性存储单元的第二端与第二输出端的控制端；

第三晶体管，该第三晶体管具有耦接至该电源的第一端、耦接至该第二输出端的第二端以及耦接至该第二非易失性存储单元的第一端的控制端；

第四晶体管，该第四晶体管具有耦接至该第二输出端的第一端、耦接至该参考地端的第二端以及耦接至该第二非易失性存储单元的第二端与该第一输出端的控制端；

第五晶体管，耦接于该第一非易失性存储单元的该第一端与该第一输出端之间，且该第五晶体管受控于写入信号；以及

第六晶体管，耦接于该第二非易失性存储单元的该第一端与该第二输出端之间，且该第六晶体管受控于该写入信号。

8.根据权利要求7所述的物理不可复制功能码提供装置，其特征在于，该感测电路还包括：

第一开关，耦接于第一位线与该第一输出端之间，且该第一开关耦接字元线信号；以及

第二开关，耦接于第二位线与该第二输出端之间，且该第二开关受控于该字元线信号。