[发明专利]监测晶圆与吸盘相对关系的装置与方法有效
申请号: | 201710762246.6 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN108022859B | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 王德民;倪玉河;林群杰;侯建仲;簡鉦茂 | 申请(专利权)人: | 汉辰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐伟 |
地址: | 中国台湾新竹市新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 监测 吸盘 相对 关系 装置 方法 | ||
1.一种监测晶圆与吸盘相对关系的装置,包含:
顶针总成,可以延伸到用以固持晶圆的吸盘的外部;
交流信号产生器,用以输出起始交流信号;以及
比较电路,用以比较起始交流信号与自吸盘输出的相应交流信号以产生电容相关信号;
在此,交流信号产生器分别地电性耦合至吸盘与比较电路;
在此,比较电路分别地电性耦合至交流信号产生器与吸盘;
在此,顶针总成包含可以延伸出吸盘的一或多个顶针以及分别支撑与移动不同顶针的一或多个支撑单元;
在此,顶针总成可分离晶圆与吸盘以形成一距离,并且,相应交流信号随该距离变动而改变。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,在此不同的顶针在晶圆被解除固持时系分别地机械性接触晶圆而分隔晶圆与吸盘。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,至少一顶针系被一弹簧所机械性地支撑,在此不同的顶针系被不同的弹簧所分别地机械性支撑。
4.如权利要求3所述的装置,其特征在于,每一弹簧系被一垫片所机械性地支撑,在此不同的弹簧系被不同的顶针所分别地机械性支撑。
5.如权利要求2所述的装置,其特征在于,每一个顶针皆是介电质顶针。
6.如权利要求2所述的装置,其特征在于,每一个顶针皆有一个介电质终端,在此介电质终端系用以与晶圆机械性接触。
7.一种监测晶圆与吸盘相对关系的方法,包含:
监测晶圆是否被放置于吸盘上,在此系藉由侦测电容相关信号以及决定侦测到的电容相关信号是否具有代表晶圆被放置于吸盘上的第一数值;
监测晶圆是否被吸盘所固持,在此系藉由侦测电容相关信号以及决定侦测到的电容相关信号是否具有代表晶圆被吸盘所固持的第二数值;
监测晶圆是否在处理中,在此系藉由侦测电容相关信号以及决定侦测到的电容相关信号是否具有代表晶圆在处理中的第三数值;
监测晶圆是否被吸盘解除固持,在此系藉由侦测电容相关信号以及决定侦测到的电容相关信号是否具有代表被吸盘解除固持的第四数值;或
监测晶圆是否自吸盘被移除,在此系藉由侦测电容相关信号以及决定侦测到的电容相关信号是否具有代表自吸盘被移除的第五数值;
在此,当晶圆未被吸盘所固持时晶圆与吸盘相互分离,而当晶圆被吸盘所固持时晶圆与吸盘相互机械性接触,
其中,所述方法更包含藉由比较起始交流信号与相应交流信号来产生电容相关信号,在此相应交流信号的产生是通过将起始交流信号传输通过吸盘而得到。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,更包含至少下列之一:
在电容对应信号并不符合这些数值的任何一个时发出早期警报;
在电容对应信号不等于这些数值的任何一个的持续时间超过第一门槛周期时发出早期警报;
在电容对应信号不等于这些数值的任何一个时暂停对晶圆的处理;
在电容对应信号不等于这些数值的任何一个的持续时间高过第二门槛周期时暂停对晶圆的处理;
在电容对应信号不等于这些数值的任何一个时暂停将晶圆自吸盘移除的动作;以及
在电容对应信号不等于这些数值的任何一个的持续时间高过第二门槛周期时暂停将晶圆自吸盘移除的动作。
9.如权利要求7所述的方法,其特征在于,更包含在吸盘为静电吸盘时,使用电浆喷头在电容对应信号并不等于这些数值的任何一个时中和掉出现在吸盘的电荷。
10.如权利要求7所述的方法,其特征在于,更包含在电容对应信号并不等于这些数值的任何一个时主动地反转位于吸盘内部电极的极性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造