[发明专利]通过形成基于烃的超薄膜对层进行保护的方法

权利要求书

1.一种用于对层进行保护的方法，所述方法包括：

提供具有目标层的基材；

在目标层上沉积保护层，所述保护层接触并覆盖目标层，并且由基于烃的层构成，所述基于烃的层通过等离子体增强原子层沉积(PEALD)使用烷基氨基硅烷前体和稀有气体而无需反应物的情况下形成；以及

在保护层上沉积氧化物层，以使得与氧化物层接触的保护层被氧化。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，基于烃的层由含有硅和氮的烃聚合物构成。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，目标层是硅基材。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，氧化物层由氧化硅构成。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，氧化物层由金属氧化物构成。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烷基氨基硅烷选自下组：双二乙基氨基硅烷(BDEAS)、双二甲基氨基硅烷(BDMAS)、己基乙基氨基硅烷(HEAD)、四乙基氨基硅烷(TEAS)、叔丁基氨基硅烷(TBAS)、双叔丁基氨基硅烷(BTBAS)、双二甲基氨基二甲基氨基硅烷(BDMADMS)、七甲基硅氮烷(HMDS)、三甲基甲硅烷基二乙胺(TMSDEA)、三甲基甲硅烷基二甲胺(TMSDMA)、三甲基三乙烯基环三硅氮烷(TMTVCTS)、三-三甲基甲硅烷基羟胺(TTMSHA)、双二甲基氨基甲基硅烷(BDMAMS)、以及二甲基甲硅烷基二甲胺(DMSDMA)。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当氧化物层沉积在保护层上时被氧化的部分保护层变成了氧化物层的一部分。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，沉积氧化物层的步骤持续直至基本上整个保护层被氧化。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在沉积氧化物层之前，保护层的厚度大于0、但小于5nm。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，包括经氧化的保护层的氧化物层的厚度为1nm-100nm。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，氧化物层通过PEALD沉积。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，提供基材的步骤、沉积保护层的步骤、和沉积氧化物层的步骤在同一个反应腔室中进行。