[发明专利]充放电控制电路及具备它的电池装置有效

专利信息
申请号: 201710762840.5 申请日: 2017-08-30
公开(公告)号: CN107800165A 公开(公告)日: 2018-03-13
发明(设计)人: 樱井敦司;小野贵士 申请(专利权)人: 精工半导体有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 何欣亭,郑冀之
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 放电 控制电路 具备 电池 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及充放电控制电路及具备它的电池装置。

背景技术

一般,电池装置具备包含检测过充电、过放电、放电过电流及充电过电流并控制充放电的充放电控制电路的充放电控制装置,由此,构成为保护二次电池(例如,参照专利文献1)。

另一方面,目前,使用具备两个充放电控制装置的电池装置。在图8示出这样的具备两个充放电控制装置的现有的电池装置50的框图。

电池装置50具备:二次电池SC;与二次电池SC连接并互相具有同一结构的第1及第2充放电控制装置51a及51b;外部正极端子EB+;以及外部负极端子EB-。在外部正极端子EB+与外部负极端子EB-之间连接有充电器CH。

充放电控制装置51a(51b)具备:充放电控制电路510a(510b);放电控制FET521a(521b);充电控制FET522a(522b);电阻元件530a(530b)及540a(540b)。

充放电控制电路510a(510b)具有:正极电源端子VDDa(VDDb);负极电源端子VSSa(VSSb);过电流检测端子VIa(VIb);放电控制端子DOa(DOb);充电控制端子COa(COb);以及外部负电压输入端子VMa(VMb),各端子如图示那样连接。

依据这样的具有两个充放电控制装置51a及51b的电池装置50,假若第1充放电控制装置51a不能动作的情况下,第2充放电控制装置51b也进行动作,因此能够更加提高安全性。

【先前技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2005-168159号公报。

发明内容

【发明要解决的课题】

然而,在图8所示的电池装置50中,发生如以下的问题。

在连接充电器CH的状态下,通过第2充放电控制装置51b来检测过充电或充电过电流,在充电控制FET522b成为截止的情况下,成为对充放电控制电路510a(也称为“充电器侧的充放电控制电路”)所控制的放电控制FET521a及充电控制FET522a的各栅极-源极间会施加充电器CH的电压。

与电池装置50连接的充电器CH的电压,只要为大于二次电池SC的电压(例如3.8V)的电压即可,因此能够使用各种电压的充电器。因而,还有使用远大于二次电池SC的电压的电压(例如20V)的充电器的情况。

如上述那样,在放电控制FET521a及充电控制FET522a的各栅极-源极间,有被施加充电器CH的电压的情况,因此需要放电控制FET521a及充电控制FET522a的栅极-源极间耐压高于充电器CH的电压。

因而,存在如下课题,即在放电控制FET521a及充电控制FET522a中必须使用高耐压的FET,这样的FET成为高导通电阻、大型且高价。

本发明鉴于上述课题而成,其目的在于提供充放电控制电路及具备它的电池装置,以在具备两个充放电控制装置而构成电池装置的情况下,作为被充电器侧的充放电控制电路控制的充放电控制FET,能够使用低耐压的FET而不是高耐压的FET。

【用于解决课题的方案】

为了解决上述课题,本发明的充放电控制电路是用于控制二次电池的充放电的充放电控制电路,其特征在于具备:正极电源端子及负极电源端子,用于监视所述二次电池的电压;充电控制端子,一端与充电控制FET的栅极连接,该充电控制FET和连接有负载及充电器的负极的外部负极端子连接;以及第1钳位电路,以所述外部负极端子的电压为基准电压,将输出到所述充电控制端子的使所述充电控制FET导通的高电平的信号钳位到比该基准电压高既定电压的量的电压。

另外,本发明的电池装置,其特征在于具备:二次电池;外部正极端子及外部负极端子,连接有负载及充电器;第1及第2充放电控制电路,与所述二次电池连接;第1充电控制FET,一端与所述外部负极端子连接;第1放电控制FET,一端与所述第1充电控制FET的另一端连接;第2充电控制FET,一端与所述第1放电控制FET的另一端连接;以及第2放电控制FET,一端与所述第2充电控制FET的另一端连接,另一端与所述二次电池的负极连接,所述第1充放电控制电路具有:正极电源端子及负极电源端子,用于监视所述二次电池的电压;充电控制端子,与所述第1充电控制FET的栅极连接;以及第1钳位电路,以所述外部负极端子的电压为基准电压,将所述充电控制端子输出的使所述充电控制FET导通的高电平的信号钳位到比该基准电压高既定电压的量的电压。

【发明效果】

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