[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置及其制作方法在审
申请号: | 201710763072.5 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN107342299A | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 刘英伟;姚琪;梁志伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括衬底基板,及设置在所述衬底基板的第一面上且位于显示区域的信号线,其特征在于,在所述衬底基板的与所述第一面相背离的第二面上设置有电极;所述信号线通过连接结构贯穿所述衬底基板上的过孔与所述电极电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述信号线包括交叉设置的多条栅线和多条数据线,且在所述数据线和栅线的交叉位置附近设置有薄膜晶体管;
与任意一条所述栅线连接的其中一个所述薄膜晶体管为第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括在所述衬底基板的所述第一面依次设置的栅极、栅绝缘层、有源层及源极和漏极,其中,所述栅极包括栅极本体和与所述栅极本体的一端连接的栅极连接部;所述电极包括第一电极,所述栅极连接部用作所述连接结构贯穿所述衬底基板与所述第一电极电连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,在所述衬底基板上,且与所述栅极连接部相对应的位置处设置有第一过孔,所述栅极连接部通过所述第一过孔与所述第一电极电连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述信号线包括交叉设置的多条栅线和多条数据线,且在所述数据线和栅线的交叉位置附近设置有薄膜晶体管;
与任意一条所述数据线连接的其中一个所述薄膜晶体管为第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管包括在所述衬底基板的所述第一面依次设置的栅极、栅绝缘层、有源层及源极和漏极,其中,所述源极用于和像素电极电连接,所述漏极与所述数据线电连接,其包括漏极本体和与所述漏极本体的一端连接的漏极连接部;所述电极包括第二电极,所述漏极连接部用作所述连接结构贯穿所述衬底基板与所述第二电极电连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,在所述衬底基板上,且与所述漏极连接部相对应的位置处设置有第二过孔,所述漏极连接部通过所述第二过孔与所述第二电极电连接。
6.根据权利要求2或4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管是同一薄膜晶体管,或者是不同的两个薄膜晶体管。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述电极部分或完全内嵌在所述衬底基板中。
8.根据权利要求1-6任意一项所述的阵列基板,其特征在于,在所述衬底基板的第一面还设置有阵列电路,所述阵列电路通过过孔与所述电极电连接;并且,在所述衬底基板的第二面设置有集成电路,所述电极与所述集成电路电导通。
9.根据权利要求1-6任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述衬底基板为柔性基板。
10.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
形成衬底基板;
在所述衬底基板的第一面上形成位于显示区域的信号线和连接结构;
在所述衬底基板与所述第一面相背离的第二面上形成电极;在所述衬底基板上与所述电极对应的位置处形成过孔;
其中,所述信号线通过连接结构贯穿所述衬底基板上的过孔与所述电极电连接。
11.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一刚性基板;
在所述刚性基板上形成缓冲牺牲层;
在所述缓冲牺牲层上形成电极;
覆盖所述电极形成柔性基板;
在所述柔性基板上与所述电极对应的位置处形成过孔;
在所述柔性基板上形成信号线和连接结构,其中,所述信号线通过所述连接结构贯穿所述柔性基板上的过孔与所述电极电连接。
12.根据权利要求11所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述在所述柔性基板上形成信号线和连接结构,包括:
通过一次构图工艺形成所述信号线和所述连接结构。
13.根据权利要求11或12所述的制作方法,其特征在于,所述连接结构为栅极连接部或漏极连接部。
14.根据权利要求11所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:
将所述阵列基板浸泡在能够溶解所述缓冲牺牲层的溶液之中,以去除所述刚性基板。
15.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-9任意一项所述的阵列基板。
16.一种显示装置的制作方法,其特征在于,包括权利要求10-14任意一项所述的阵列基板的制作方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的