[发明专利]微型发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.微型发光二极管，包括：外延叠层，其从上至下依次包含支撑层、欧姆接触层、第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层，所述欧姆接触层的厚度为100nm以内，定义所述外延叠层之临近所述支撑层的一侧表面为第一表面，远离所述支撑层的另一侧表面为第二表面，其中所述外延叠层至少部分被蚀刻去除所述第二类型半导体层、有源层和第一类型半导体层，裸露出所述欧姆接触层的部分表面；所述支撑层的晶格常数与有源层的晶格常数匹配，具有足够的厚度以提供一定的物理强度，厚度为500nm以上；第一电极，设置于裸露出的所述欧姆接触层的表面上，与所述第一类型半导体层形成电性连接；第二电极，设置于所述外延叠层的第二表面，与所述第二类型半导体层形成电性连接，所述支撑层用于支撑所述第一电极并保护所述欧姆接触层；支撑基板，通过至少一个支撑柱与所述外延叠层的第二表面连接，使得所述微型发光二极管处于待拾取状态。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于：还包括绝缘保护层，形成于所述外延叠层的侧壁及表面；

延伸电极，与所述第一电极连接，延伸至所述第二类型半导体层之上，与所述第二电极齐平。

3.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于：所述支撑层之远离所述有源层的一侧表面上具有粗化结构。

4.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于：所述支撑层的材料为Al_xGa_(1-x)InP，其中x＞0。

5.根据权利要求4所述的微型发光二极管， 其特征在于：所述A_lxG_a(1-x)InP支撑层的铝组分x取值范围为：1≥x≥0.15。

6.根据权利要求1述的微型发光二极管，其特征在于：所述第一类型半导体层还包括Al_yGa_(1-y)InP窗口层，其紧邻所述欧姆接触层之远离所述支撑层的一侧表面。

7.微型发光二极管的制作方法，包括步骤：

（1）提供一外延结构，其从下至上依次包括支撑层、欧姆接触层、第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层，所述支撑层的晶格常数与有源层的晶格常数匹配，具有足够的厚度以提供一定的物理强度，定义所述外延结构之临近所述支撑层的一侧表面为第一表面，远离所述支撑层的另一侧表面为第二表面；

（2）在所述外延结构的第二表面上定义第一电极区，蚀刻第一电极区的第二类型半导体层、有源层、第一类型半导体层直至所述欧姆接触层，裸露出所述欧姆接触层的部分表面；

（3）分别在裸露出的所述欧姆接触层和第二类型半导体层上制作第一电极、第二电极，其中所述支撑层支撑所述第一电极，并保护所述欧姆接触层；

（4）提供一支撑基板，通过至少一支撑柱与所述外延结构的第二表面接触，使得所述微型发光二极管处于待拾取状态。

8.微型发光二极管的制作方法，包括步骤：

（1）提供一外延结构，其从下至上包括：生长衬底、GaInP晶格过渡层、Al_xGa_(1-x)InP支撑层、第一类型欧姆接触层、第一类型覆盖层、有源层、第二类型覆盖层，所述Al_xGa_(1-x)InP支撑层具有足够的厚度以提供一定的物理强度，其中x＞0，定义所述外延结构之临近所述Al_xGa_(1-x)InP支撑层的一侧表面为第一表面，远离所述Al_xGa_(1-x)InP支撑层的另一侧表面为第二表面；

（2）在所述外延结构的第二表面上定义第一电极区，蚀刻第一电极区的第二类型覆盖层、有源层、第一类型覆盖层至第一类型欧姆接触层，裸露出第一类型欧姆接触层；

（3）分别在裸露出的第一类型欧姆接触层和第二类型覆盖层上制作第一电极、第二电极；

（4）提供一支撑基板，通过至少一支撑柱与所述外延结构的第二表面接触，使得所述微型发光二极管处于待拾取状态；

（5）去除生长衬底。